特許

J-GLOBAL ID：200903042752275017

電子放出素子、その製造方法及び画像形成装置

発明者： 田 透 ,  安居 伸浩
出願人/特許権者： キヤノン株式会社
代理人 (1件)： 渡辺 徳廣
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-318968
公開番号（公開出願番号）：特開2003-123622
出願日： 2001年10月17日
公開日（公表日）： 2003年04月25日
要約：

【要約】【課題】 電子放出を安定的に、且つ低電位で行わせることができ、また水分などの影響を受け難い電子放出素子を提供する【解決手段】 基板17上に下地導電膜16と、該下地導電膜16上に配置された酸化アルミニウムを主成分とする層12と、該酸化アルミニウムを主成分とする層に配置された細孔11と、該細孔内の前記下地導電膜の上に配置されて且つ該細孔から突出していない酸化物からなる電子放出部13を有する電子放出素子。電子放出部の厚みは5〜150nmであって、該酸化物としてはTi、Zr、Hf、Nb、Ta、Mo、Wの少なくとも1種類以上の元素を主体とする酸化物であり、下地導電膜はこれらの金属もしくは貴金属で、電子放出部と下地導電膜間がショットキー接合されている。

請求項（抜粋）：

基板上に下地導電膜と、該下地導電膜上に配置された酸化アルミニウムを主成分とする層と、該酸化アルミニウムを主成分とする層に配置された細孔と、該細孔内の前記下地導電膜の上に配置されて且つ該細孔から突出していない酸化物からなる電子放出部を有することを特徴とする電子放出素子。

IPC (4件)：

H01J 1/304 ,  H01J 9/02 ,  H01J 29/04 ,  H01J 31/12

FI (4件)：

H01J 9/02 B ,  H01J 29/04 ,  H01J 31/12 C ,  H01J 1/30 F

Fターム (7件)：

5C031DD17 ,  5C031DD19 ,  5C036EE19 ,  5C036EF01 ,  5C036EG12 ,  5C036EH18 ,  5C036EH23

引用特許：

審査官引用 (4件)

• チタンナノ細線、チタンナノ細線の製造方法、構造体及び電子放出素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-313939   出願人：キヤノン株式会社
• 電子放出素子、及びそのカソードの形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-137584   出願人：株式会社リコー
• 電子放出素子およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-161506   出願人：日本電気株式会社
• 細孔を有する構造体、細孔を有する構造体の製造方法並びに前記細孔を有する構造体を用いたデバイス
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-266773   出願人：キヤノン株式会社