Al基合金スパッタリングターゲットおよびその製造方法

発明者： , , , , , , ,
出願人/特許権者： ,
代理人 (5件)：植木久一 , 菅河忠志 , 二口治 , 伊藤浩彰 , 植木久彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-053376
公開番号（公開出願番号）：特開2009-263768
出願日： 2009年03月06日
公開日（公表日）： 2009年11月12日
要約：

【課題】スパッタリングターゲットの使用初期段階でのスプラッシュの発生を軽減し、これにより配線膜等に生じる欠陥を防止し、FPDの歩留りや動作性能を向上させることが可能なAl-(Ni,Co)-(Cu,Ge)-(La,Gd,Nd)系合金スパッタリングターゲットおよびその製造方法を提供する。【解決手段】A群(Ni,Co)から選択される少なくとも1種と、B群(Cu,Ge)から選択される少なくとも1種と、C群(La,Gd,Nd)から選択される少なくとも1種を各々含有するAl-(Ni,Co)-(Cu,Ge)-(La,Gd,Nd)系合金スパッタリングターゲットを構成し、そのビッカース硬さ(HV)を35以上にする。【選択図】なし

請求項（抜粋）：

A群(Ni,Co)から選択される少なくとも1種と、 B群(Cu,Ge)から選択される少なくとも1種と、 C群(La,Gd,Nd)から選択される少なくとも1種を各々含有するAl基合金スパッタリングターゲットであって、その硬さがビッカース硬さ(HV)で35以上であることを特徴とするAl基合金スパッタリングターゲット。

IPC (6件)：

C22C 21/00 , C23C 14/34 , C22C 21/12 , B22F 9/08 , B22F 3/15 , B22F 3/24

FI (7件)：

C22C21/00 N , C23C14/34 A , C22C21/12 , B22F9/08 S , B22F9/08 A , B22F3/15 M , B22F3/24 F

Fターム (25件)：

4K017AA04 , 4K017BA01 , 4K017BB05 , 4K017BB06 , 4K017BB12 , 4K017BB18 , 4K017DA01 , 4K017EB00 , 4K017EC00 , 4K017FA03 , 4K017FA05 , 4K017FA11 , 4K018AA14 , 4K018BA07 , 4K018EA12 , 4K018FA09 , 4K018KA29 , 4K029AA06 , 4K029AA24 , 4K029BA23 , 4K029CA05 , 4K029DC04 , 4K029DC07 , 4K029DC34 , 4K029DC39

引用特許：

出願人引用 (4件)

スパッタリングターゲット、Al合金膜および電子部品
公報種別：公開公報出願番号：特願2002-373938 出願人：株式会社東芝
薄膜トランジスタ基板、表示デバイス、および表示デバイス用のスパッタリングターゲット
公報種別：公開公報出願番号：特願2005-344679 出願人：株式会社神戸製鋼所
アルミニウム合金スパッタリングタ-ゲット材料
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-374003 出願人：株式会社神戸製鋼所

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審査官引用 (4件)

スパッタリングターゲット、Al合金膜および電子部品
公報種別：公開公報出願番号：特願2002-373938 出願人：株式会社東芝
薄膜トランジスタ基板、表示デバイス、および表示デバイス用のスパッタリングターゲット
公報種別：公開公報出願番号：特願2005-344679 出願人：株式会社神戸製鋼所
アルミニウム合金スパッタリングタ-ゲット材料
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-374003 出願人：株式会社神戸製鋼所

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