特許
J-GLOBAL ID：200903058805785423
スパッタリングターゲット、Al合金膜および電子部品
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
波多野 久
, 関口 俊三
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-373938
公開番号（公開出願番号）：特開2004-204284
出願日： 2002年12月25日
公開日（公表日）： 2004年07月22日
要約：
【課題】異常放電の発生が少なく安定した状態でスパッタリングを実施することができるようなAl合金ターゲットを実現し、得られるAl合金膜厚の面内均一性を大幅に改善することを可能にするスパッタリングターゲットを提供すると共に、このスパッタターゲットを用いることにより、スパッタ面積が広い場合においても特性が均一なAl合金膜およびそのようなAl合金膜を用いた電子部品を提供する。【解決手段】Alを主成分とし、Y、Nd、Ta、Ti、Zr、Cr、Mn、W、Mo、Fe、Co、Ni、Cu、Ag、Si、Geから選択される少なくとも1種の金属元素を含むAl合金スパッタリングターゲットであって、スパッタ表面におけるビッカース硬度のばらつきが20%以内であることを特徴とするスパッタリングターゲットである。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
Alを主成分とし、Y、Nd、Ta、Ti、Zr、Cr、Mn、W、Mo、Fe、Co、Ni、Cu、Ag、Si、Geから選択される少なくとも1種の金属元素を含むAl合金スパッタリングターゲットであって、スパッタ表面におけるビッカース硬度のばらつきが20%以内であることを特徴とするスパッタリングターゲット。
IPC (3件)：
C23C14/34
, C22C21/00
, H01L21/285
C23C14/34 A
, C22C21/00 A
, H01L21/285 S
4K029BA23
, 4K029BD02
, 4K029CA05
, 4K029DC04
, 4K029DC09
, 4M104BB02
, 4M104BB39
, 4M104DD40
出願人引用 (5件)
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審査官引用 (5件)
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