特許
J-GLOBAL ID:200903077500615174

結合ウェーハの製造方法及びこの方法により製造される結合ウェーハ

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 山本 亮一 (外1名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平8-060451
公開番号(公開出願番号):特開平9-252100
出願日: 1996年03月18日
公開日(公表日): 1997年09月22日
要約:
【要約】 (修正有)【課題】 SOIウェーハの膜厚のばらつきを均質化し、加工精度の高いSOIウェーハの製造方法を提供する。【解決手段】 2枚のシリコン鏡面ウェーハのうち、少なくとも一方のウェーハ鏡面に酸化膜を形成した後、その鏡面同士を相互に接触させて接合し、次いで加熱処理を加えてシリコンの結合ウェーハを製造する方法において、用いる2枚のシリコン鏡面ウェーハのうち少なくとも一方に、ウェーハ裏面の表面凹凸あるいはウェーハ裏面と接する研磨治具の表面形状の影響を受けない研磨加工を予め施すことを特徴とする結合ウェーハの製造方法。
請求項(抜粋):
2枚のシリコン鏡面ウェーハのうち、少なくとも一方のウェーハ鏡面に酸化膜を形成した後、その鏡面同士を相互に接触させて接合し、次いで加熱処理を加えてシリコンの結合ウェーハを製造する方法において、用いる2枚のシリコン鏡面ウェーハのうち少なくとも一方に、ウェーハ裏面の表面凹凸あるいはウェーハ裏面と接する研磨治具の表面形状の影響を受けない研磨加工を予め施すことを特徴とする結合ウェーハの製造方法。
IPC (4件):
H01L 27/12 ,  H01L 21/02 ,  H01L 21/306 ,  H01L 21/304 321
FI (4件):
H01L 27/12 B ,  H01L 21/02 B ,  H01L 21/304 321 M ,  H01L 21/302 P
引用特許:
審査官引用 (10件)
全件表示

前のページに戻る