プラズマプロセスのプラズマ電荷ダメージを低減する方法

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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：長谷川芳樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-019054
公開番号（公開出願番号）：特開2002-334871
出願日： 2002年01月28日
公開日（公表日）： 2002年11月22日
要約：

【要約】 (修正有)【課題】プラズマ電荷ダメージの発生を低減して、プロセスチャンバ内で基板上に薄膜を堆積する方法を提供する。【解決手段】プラズマチャンバ13内で基板17上に膜を堆積するための方法であって、プラズマを形成するために適した複数の前駆物質ガスを有するプロセスガスをプロセスチャンバ内に流入させるステップと、プロセスガスからプラズマを発生させて基板上に薄膜を堆積させるステップを有し、薄膜が基板の中心部で基板のエッジより高速に堆積されるように、複数の前駆物質ガスをプロセスチャンバ内に流入させる。

請求項（抜粋）：

プロセスチャンバ内で基板上に膜を堆積するための方法であって、(a)プラズマを形成するに適する複数の前駆物質ガスを有するプロセスガスを、プロセスチャンバ内に流入させるステップと、(b)プロセスガスからプラズマを発生させて、基板上に薄膜を堆積させるステップとを有し、薄膜が基板の中心部で基板のエッジより高速で堆積されるように、複数の前駆物質ガスをプロセスチャンバに流入させる方法。

IPC (3件)：

H01L 21/31 , C23C 16/52 , H01L 21/3065

FI (3件)：

H01L 21/31 C , C23C 16/52 , H01L 21/302 B

Fターム (15件)：

4K030AA06 , 4K030AA14 , 4K030BA44 , 4K030FA04 , 4K030HA15 , 4K030JA05 , 4K030JA09 , 4K030JA12 , 4K030LA15 , 5F045AA08 , 5F045AB31 , 5F045DP03 , 5F045DP04 , 5F045EB06 , 5F045EE12

引用特許：

審査官引用 (3件)

低比誘電率膜のための堆積チャンバ及び方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-122227 出願人：アプライドマテリアルズインコーポレイテッド
静電吸着電極装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-177072 出願人：松下電子工業株式会社
プラズマ処理装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-052618 出願人：アネルバ株式会社

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