特許

J-GLOBAL ID：200903042050566196

化合物半導体装置

発明者： 吉川 俊英 ,  今西 健治
出願人/特許権者： 富士通株式会社
代理人 (2件)： 川上 光治 ,  田中 浩
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-094824
公開番号（公開出願番号）：特開2008-252034
出願日： 2007年03月30日
公開日（公表日）： 2008年10月16日
要約：

【課題】能動層として窒化ガリウム(GaN)系の化合物半導体層を採用して構成される化合物半導体装置について、電流をオフしやすくすること。【解決手段】トランジスタ構造を有する化合物半導体装置であって、基板1と、基板1の上に形成されたGaN含有の第1層3と、第1層3より上に形成されて第1層3よりも格子定数の大きいInN含有の第2層4と、第2層4より上に形成されて第2層4よりもエネルギーバンドギャップの小さいGaN含有の第3層5と、第3層5の上に形成されるチャネル領域層2DEGを有している。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

トランジスタ構造を有する化合物半導体装置であって、 基板と、 前記基板の上に形成されたGaN含有の第1層と、 前記第1層より上に形成されて前記第1層よりも格子定数の大きいInN含有の第2層と、 前記第2層より上に形成されて前記第2層よりもエネルギーバンドギャップの小さいGaN含有の第3層と、 前記第3層の上に形成されるチャネル領域層と を有することを特徴とする化合物半導体装置。

IPC (3件)：

H01L 21/338 ,  H01L 29/778 ,  H01L 29/812

FI (1件)：

H01L29/80 H

Fターム (23件)：

5F102FA00 ,  5F102GB01 ,  5F102GC01 ,  5F102GD01 ,  5F102GJ02 ,  5F102GJ03 ,  5F102GJ04 ,  5F102GJ10 ,  5F102GK04 ,  5F102GK08 ,  5F102GK09 ,  5F102GL04 ,  5F102GM04 ,  5F102GM08 ,  5F102GQ02 ,  5F102GQ04 ,  5F102GS01 ,  5F102GT01 ,  5F102GT03 ,  5F102GV08 ,  5F102HC01 ,  5F102HC15 ,  5F102HC19

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 半導体エピタキシャルウェハ及び電界効果トランジスタ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2004-299822   出願人：日立電線株式会社

審査官引用 (3件)

• 半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-005093   出願人：松下電器産業株式会社
• へテロ接合トランジスタ及びその製造方法
  公報種別：公表公報   出願番号：特願2003-550289   出願人：クリーインコーポレイテッド
• 半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2005-032680   出願人：日本電信電話株式会社