半導体装置

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出願人/特許権者：
代理人 (2件)：和泉良彦 , 小林茂
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-032680
公開番号（公開出願番号）：特開2006-222191
出願日： 2005年02月09日
公開日（公表日）： 2006年08月24日
要約：

【課題】エンハンスメント型の電界効果トランジスタ特性を有する窒化物系ヘテロ構造電界効果トランジスタである半導体装置を提供すること。【解決手段】半導体表面近傍に、薄層チャネル層半導体層2が上側障壁層半導体層1と下側障壁層半導体層3との間に挟まれて設置されており、かつ、下側障壁層半導体層3には組成傾斜(層を構成する半導体の組成が層の厚さ方向に単調に変化していること)が設けられており、下側障壁層半導体層3と、その下の内部小バンドギャップ半導体層4とは、組成の不連続なしに連結されていることを特徴とする窒化物系ヘテロ構造電界効果トランジスタを構成する。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

窒化物半導体を用いて基板上に形成されたヘテロ構造電界効果トランジスタである半導体装置において、薄層チャネル層半導体層と、該薄層チャネル層半導体層よりも該基板から遠い側に存在し膜厚が1nm以上8nm以下である上側薄層障壁層半導体層とを有することを特徴とする半導体装置。

IPC (5件)：

H01L 21/338 , H01L 29/812 , H01L 29/778 , H01L 27/095 , H01L 29/78

FI (4件)：

H01L29/80 Q , H01L29/80 H , H01L29/80 E , H01L29/78 301B

Fターム (26件)：

5F102FA01 , 5F102GA02 , 5F102GB01 , 5F102GC01 , 5F102GD01 , 5F102GD10 , 5F102GJ10 , 5F102GK04 , 5F102GK08 , 5F102GL04 , 5F102GL07 , 5F102GL08 , 5F102GL16 , 5F102GM04 , 5F102GM07 , 5F102GM08 , 5F102GM10 , 5F102GQ02 , 5F102GQ03 , 5F102HC01 , 5F140AA24 , 5F140BA06 , 5F140BA09 , 5F140BB18 , 5F140BD01 , 5F140BD11

引用特許：

審査官引用 (8件)

半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-056529 出願人：日本電信電話株式会社
半導体電界効果トランジスタ及び電力増幅器
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-248484 出願人：株式会社東芝
電界効果型トランジスタおよびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-225077 出願人：ソニー株式会社

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