特許

J-GLOBAL ID：200903042063956619

誘電体素子

発明者： 古川 浩章
出願人/特許権者： 三洋電機株式会社
代理人 (1件)： 福島 祥人
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-228200
公開番号（公開出願番号）：特開平11-068057
出願日： 1997年08月25日
公開日（公表日）： 1999年03月09日
要約：

【要約】【課題】 良好な分極特性を有し、生産性の向上およびコストの低減化が可能な誘電体素子を提供することである。【解決手段】 シリコン基板1の表面にソース領域4およびドレイン領域5が形成され、ソース領域4とドレイン領域5との間のチャネル領域6上にゲート絶縁膜2およびゲート電極3が順に形成される。ゲート電極3およびゲート絶縁膜2を覆うようにシリコン基板1上に層間絶縁膜7が形成され、ゲート電極3上の層間絶縁膜7にコンタクト孔9が形成される。コンタクト孔9内には接続層10およびBi2 Sr2 CuO6 からなる下部電極12が形成される。下部電極12の上面に接触するように層間絶縁膜7上にSrBi2 Ta2 O9 からなる強誘電体膜13およびBi2 Sr2 CuO6 からなる上部電極14が順に形成される。

請求項（抜粋）：

互いに類似の結晶構造を有する第1の電極層と誘電体膜との積層構造を有することを特徴とする誘電体素子。

IPC (6件)：

H01L 27/10 451 ,  H01L 27/04 ,  H01L 21/822 ,  H01L 21/8247 ,  H01L 29/788 ,  H01L 29/792

FI (3件)：

H01L 27/10 451 ,  H01L 27/04 C ,  H01L 29/78 371

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 強誘電体不揮発性メモリ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-161422   出願人：ソニー株式会社
• 半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-032858   出願人：日本電気株式会社
• 強誘電体FET素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-073857   出願人：三菱化学株式会社
• キャパシタ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-320700   出願人：株式会社東芝