特許
J-GLOBAL ID：200903042084599239

電子回路装置

発明者：
金塚 堂

金塚 堂 について


出願人/特許権者：
京セラ株式会社

京セラ株式会社 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-051237
公開番号（公開出願番号）：特開2000-252406
出願日： 1999年02月26日
公開日（公表日）： 2000年09月14日
要約：
【要約】【課題】 本発明は、ICベアチップ上に被覆するシリコーン被覆部材の厚みを制御して、ボンディングワイヤの腐食を防止するとともに、ボンディングワイヤの剥離・倒れを防止することができる電子部品装置を提供する。【解決手段】ICベアチップ2、3と配線基板1の所定配線パターン22、32とを接続するボンディングワイヤ20、30以外に、2つのICベアチップ2、3との間の領域に、また、例えばICベアチップ2の一対の辺に各々平行に、さらに、例えばICベアチップ3を対角線上で跨ぐように、ダミー用ボンディングワイヤ4、5、6を形成した。
請求項（抜粋）：
配線基板上に、頂点部の高さが異なるボンディングワイヤが接合された少なくとも2つのICベアチップを隣接配置するとともに、前記2つのICベアチップ及びボンディングワイヤを樹脂で被覆して成る電子回路装置において、前記2つのICベアチップ間の配線基板領域に、第1のダミー用ボンディングワイヤを前記2つのICベアチップを横切る方向に配設するとともに、頂点部の高いボンディングワイヤが接続されたICベアチップ外周の配線基板領域に、前記第1のダミー用ボンディングワイヤと略直交する方向に一対の第2のダミー用ボンディングワイヤを配設して成り、かつ前記頂点部の高いボンディングワイヤの頂点部高さをH1 、頂点部の低いボンディングワイヤの頂点部高さをH2 、第1のダミー用ボンディングワイヤの頂点部高さをH3 、第2のダミー用ボンディングワイヤの頂点部高さをH4 とした時、各々の高さがH4 >H1 であり、且つH4 >H3 >H2 であることを特徴とする電子回路装置。
IPC (2件)：
H01L 25/04 ,  H01L 25/18
引用特許：
出願人引用 (4件)
全件表示
審査官引用 (1件)

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