特許
J-GLOBAL ID:200903042091302063
片面回路基板およびその製造方法
発明者:
,
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
小川 順三 (外1名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平11-031019
公開番号(公開出願番号):特開2000-232268
出願日: 1999年02月09日
公開日(公表日): 2000年08月22日
要約:
【要約】【課題】 レーザ加工によるビアホール形成に伴う問題点を解消し、IVH構造の高密度多層プリント配線板を高い歩留りで効率よく製造するのに好適な層間接続信頼性に優れた片面プリント配線板およびその製造方法を提案すること。【解決手段】 絶縁性基材と、その絶縁性基材の一方の表面に形成された導体回路と、上記絶縁性基材の他方の表面から導体回路に至るビアホールとを備える片面回路基板を製造するに当たって、ビアホール形成用開口が、パルスエネルギーが0.5 〜5.0 mJ、パルス幅が1〜20μs、パルス間隔が2ms以上、ショット数が3〜10の条件のもとで、パルス発振型炭酸ガスレーザーの照射によって形成されること。
請求項(抜粋):
絶縁性基材の一方の面に導体回路を有し、この絶縁性基材の他方の面には前記導体回路に達するビアホールが設けられた片面回路基板において、前記ビアホールは、パルスエネルギーが0.5 〜5.0 mJ、パルス幅が1〜20μs、パルス間隔が2ms以上、ショット数が3〜10の条件で照射される炭酸ガスレーザ開口に対して形成されたものであることを特徴とする片面回路基板。
IPC (5件):
H05K 3/46
, B23K 26/00
, B23K 26/00 330
, H05K 3/00
, H05K 3/40
FI (6件):
H05K 3/46 N
, H05K 3/46 G
, B23K 26/00 H
, B23K 26/00 330
, H05K 3/00 N
, H05K 3/40 K
Fターム (22件):
4E068AF01
, 4E068DA11
, 5E317AA21
, 5E317AA24
, 5E317BB02
, 5E317BB04
, 5E317CC22
, 5E317CC25
, 5E317CD27
, 5E317CD32
, 5E346AA43
, 5E346CC04
, 5E346CC08
, 5E346CC32
, 5E346DD24
, 5E346DD34
, 5E346EE13
, 5E346FF07
, 5E346FF14
, 5E346FF24
, 5E346GG15
, 5E346HH31
引用特許:
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