薄膜トランジスタ及びその製法

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出願人/特許権者： ,
代理人 (1件)：清原義博
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-038425
公開番号（公開出願番号）：特開2007-220816
出願日： 2006年02月15日
公開日（公表日）： 2007年08月30日
要約：

【課題】大面積化が容易なプラズマ放電によりイオン化が行え、且つ酸化物半導体薄膜層に浅い不純物準位を形成する元素を選択する。該元素からなるガスをプラズマ分解等により質量分離を行わず、大面積にわたりイオンを形成し、イオン化した元素を該酸化物半導体薄膜層に導入することでソース・ドレイン領域を形成する。【解決手段】ゲート絶縁膜とゲート電極が自己整合的に同一形状に形成されており、酸化物半導体薄膜層であって、該ゲート電極の下側以外の範囲が、該ゲート電極の下側の範囲よりも、水素(H)、ヘリウム(He)、ネオン(Ne)、アルゴン(Ar)、クリプトン(Kr)、フッ素(F)、キセノン(Xe)、酸素(O)の元素群のうち少なくとも1種の濃度が高い領域を含むソース・ドレイン領域であることを特徴とする薄膜トランジスタを提供する。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

絶縁基板上にチャネルとして形成される酸化亜鉛を主成分とする酸化物半導体薄膜層と、該酸化物半導体薄膜層の少なくとも一定範囲を被覆するゲート絶縁膜と、該ゲート絶縁膜の上に積載されたゲート電極とを有する薄膜トランジスタにおいて、前記ゲート絶縁膜と前記ゲート電極が自己整合的に同一形状に形成されており、前記酸化物半導体薄膜層であって、該ゲート電極の直下方以外の範囲が、該ゲート電極の直下方の範囲よりも、水素(H)、ヘリウム(He)、ネオン(Ne)、アルゴン(Ar)、クリプトン(Kr)、フッ素(F)、キセノン(Xe)、酸素(O)の元素群のうち少なくとも1種の濃度が高い領域を含むソース・ドレイン領域であることを特徴とする薄膜トランジスタ。

IPC (2件)：

H01L 29/786 , H01L 21/336

FI (4件)：

H01L29/78 616L , H01L29/78 618B , H01L29/78 616V , H01L29/78 617U

Fターム (33件)：

5F110AA02 , 5F110AA28 , 5F110BB01 , 5F110CC02 , 5F110CC06 , 5F110DD01 , 5F110DD02 , 5F110DD11 , 5F110EE04 , 5F110FF02 , 5F110FF03 , 5F110FF04 , 5F110FF09 , 5F110FF10 , 5F110FF28 , 5F110FF30 , 5F110GG01 , 5F110GG25 , 5F110GG32 , 5F110GG35 , 5F110GG43 , 5F110HJ01 , 5F110HJ12 , 5F110HJ13 , 5F110HJ18 , 5F110HK01 , 5F110HK02 , 5F110HK07 , 5F110HK21 , 5F110NN02 , 5F110NN72 , 5F110QQ09 , 5F110QQ11

引用特許：

出願人引用 (1件)

薄膜トランジスタおよびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-185001 出願人：株式会社東芝

審査官引用 (4件)

薄膜トランジスタの製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-045460 出願人：株式会社東芝
薄膜トランジスタおよび薄膜トランジスタの製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-341347 出願人：セイコーエプソン株式会社
薄膜トランジスタおよびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-186194 出願人：株式会社東芝

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