特許
J-GLOBAL ID：200903042111562989
窒化物系半導体発光素子及び窒化物系半導体発光素子の製造方法、ランプ
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (7件)：
志賀 正武
, 高橋 詔男
, 渡邊 隆
, 青山 正和
, 鈴木 三義
, 西 和哉
, 村山 靖彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-360088
公開番号（公開出願番号）：特開2007-165596
出願日： 2005年12月14日
公開日（公表日）： 2007年06月28日
要約：
【課題】光取り出し効率に優れ、かつ、電流拡散性能の優れた窒化物系半導体発光素子を提供することを目的とする。【解決手段】n型半導体層2、発光層3、p型半導体層4、透光性導電酸化膜層11が順に配置された窒化物系半導体発光素子であって、前記透光性導電酸化膜層11が、光取り出し層として機能する第1層7と、前記第1層7の前記p型半導体層4側に配置され、電流拡散層として機能する第2層6とを少なくとも有する窒化物系半導体発光素子12とする。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
n型半導体層、発光層、p型半導体層、透光性導電酸化膜層が順に配置された窒化物系半導体発光素子であって、
前記透光性導電酸化膜層が、光取り出し層として機能する第1層と、前記第1層の前記p型半導体層側に配置され、電流拡散層として機能する第2層とを少なくとも有することを特徴とする窒化物系半導体発光素子。
IPC (1件)：
FI (2件)：
H01L33/00 E
, H01L33/00 C
5F041AA04
, 5F041CA40
, 5F041CA46
, 5F041CA65
, 5F041CA74
, 5F041CA82
, 5F041CA88
, 5F041CA92
, 5F041DB01
