薄膜形成方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：高田武志
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-096527
公開番号（公開出願番号）：特開2005-229129
出願日： 2005年03月29日
公開日（公表日）： 2005年08月25日
要約：

【課題】原料供給サイクルに同期させたプラズマを用いる時分割的な原料供給CVD法により半導体またはフラット表示素子の基板上に優れた特性を有する金属酸化物、金属窒化物及び金属の薄膜を形成する方法を提供すること。【解決手段】プラズマを用いる原子層蒸着装置の反応器内において基板上に金属酸化物膜を形成する方法であって、反応器内に金属原料化合物を供給する段階と、反応器内に酸素ガスを供給する段階と、反応器内に所定時間中に酸素プラズマを生じさせる段階と、を含む金属酸化物膜の形成方法。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

プラズマを用いる原子層蒸着装置の反応器内において基板上に金属酸化物膜を形成する方法であって、前記反応器内に金属原料化合物を供給する段階と、前記反応器内に酸素ガスを供給する段階と、前記反応器内に所定時間中に酸素プラズマを生じさせる段階と、を含む金属酸化物膜の形成方法。

IPC (5件)：

H01L21/316 , C23C16/18 , C23C16/34 , C23C16/40 , H01L21/285

FI (5件)：

H01L21/316 X , C23C16/18 , C23C16/34 , C23C16/40 , H01L21/285 C

Fターム (40件)：

4K030AA03 , 4K030AA06 , 4K030AA11 , 4K030AA13 , 4K030AA17 , 4K030BA02 , 4K030BA17 , 4K030BA18 , 4K030BA20 , 4K030BA38 , 4K030BA42 , 4K030BA43 , 4K030CA04 , 4K030FA01 , 4K030FA10 , 4K030HA01 , 4K030JA09 , 4K030JA10 , 4K030JA16 , 4K030LA15 , 4K030LA18 , 4M104BB02 , 4M104BB14 , 4M104BB17 , 4M104BB18 , 4M104BB30 , 4M104BB32 , 4M104BB33 , 4M104BB36 , 4M104DD43 , 4M104DD45 , 4M104FF18 , 5F058BA11 , 5F058BF02 , 5F058BF27 , 5F058BF29 , 5F058BF36 , 5F058BF73 , 5F058BH16 , 5F058BJ01

引用特許：

審査官引用 (4件)

原子層蒸着法を用いた薄膜製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-034413 出願人：三星電子株式会社
半導体集積回路の製造方法並びにその製造装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-021741 出願人：株式会社日立製作所
特開昭61-136236

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