特許
J-GLOBAL ID:200903042191926110
有機半導体素子
発明者:
,
,
出願人/特許権者:
代理人 (2件):
岸本 達人
, 山下 昭彦
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2004-108204
公開番号(公開出願番号):特開2005-294072
出願日: 2004年03月31日
公開日(公表日): 2005年10月20日
要約:
【課題】 湿式成膜法を用いて形成され、且つ、劣化が防止されて素子特性が良好な有機半導体素子を提供する。【解決手段】 基板上に、対向する2つ以上の電極とそのうちの2つの電極間に配置された少なくとも1つの有機層を有し、前記有機層及び/又は電極の1種以上が湿式成膜法により形成された有機半導体素子であって、前記湿式成膜法により形成された有機層及び/又は電極の下地側に電荷輸送性並びに溶剤及び/又はガスバリア性を有する保護層が設けられていることを特徴とする有機半導体素子である。【選択図】 図1
請求項(抜粋):
基板上に、対向する2つ以上の電極とそのうちの2つの電極間に配置された少なくとも1つの有機層を有し、前記有機層及び/又は電極の1種以上が湿式成膜法により形成された有機半導体素子であって、前記湿式成膜法により形成された有機層及び/又は電極の下地側に電荷輸送性並びに溶剤及び/又はガスバリア性を有する保護層が設けられていることを特徴とする、有機半導体素子。
IPC (5件):
H05B33/12
, H01L29/786
, H01L51/00
, H05B33/14
, H05B33/22
FI (6件):
H05B33/12 C
, H05B33/14 A
, H05B33/22 A
, H05B33/22 C
, H01L29/78 618B
, H01L29/28
Fターム (27件):
3K007AB11
, 3K007AB18
, 3K007CB04
, 3K007DA06
, 3K007DB03
, 3K007EA00
, 3K007FA01
, 5F110AA16
, 5F110AA26
, 5F110EE02
, 5F110EE03
, 5F110EE04
, 5F110EE07
, 5F110EE08
, 5F110GG05
, 5F110HK02
, 5F110HK03
, 5F110HK04
, 5F110HK07
, 5F110HK09
, 5F110HK10
, 5F110HK11
, 5F110NN02
, 5F110NN22
, 5F110NN23
, 5F110NN24
, 5F110NN27
引用特許:
出願人引用 (3件)
審査官引用 (4件)
-
発光装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願2002-104194
出願人:株式会社半導体エネルギー研究所
-
有機エレクトロルミネッセント素子
公報種別:公開公報
出願番号:特願2003-288850
出願人:株式会社半導体エネルギー研究所
-
有機半導体素子
公報種別:公開公報
出願番号:特願2002-205635
出願人:パイオニア株式会社
前のページに戻る