半導体素子の製造方法、及び半導体素子

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：小池隆彌
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-115659
公開番号（公開出願番号）：特開2000-312054
出願日： 1999年04月23日
公開日（公表日）： 2000年11月07日
要約：

【要約】【課題】 1回の結晶成長で光集積素子の導波路構造を作製し、また、それに適した素子構造を提供する。【解決手段】凹凸基板の上に、窒素と窒素以外のV族元素とを共に組成として含む化合物半導体層を積層し、凹凸に対応して窒素の取り込みが変化することを利用する。

請求項（抜粋）：

凹部及び/又は凸部を形成して複数の異なる結晶面を露出させた半導体基板上に、窒素と窒素以外のV族元素とを共に組成として含む化合物半導体層を結晶成長させる工程を含んでなることを特徴とする半導体素子の製造方法。

IPC (6件)：

H01S 5/24 , H01L 21/205 , H01L 27/14 , H01L 27/15 , H01L 31/0232 , H01L 21/203

FI (8件)：

H01S 3/18 667 , H01L 21/205 , H01L 27/15 C , H01L 27/15 D , H01L 21/203 M , H01L 27/14 D , H01L 27/14 Z , H01L 31/02 D

Fターム (62件)：

4M118AA10 , 4M118AB10 , 4M118BA02 , 4M118CA01 , 4M118FC03 , 4M118FC17 , 4M118GA10 , 5F045AA04 , 5F045AB10 , 5F045AB17 , 5F045AB18 , 5F045AC01 , 5F045AC08 , 5F045AC12 , 5F045AD10 , 5F045AF04 , 5F045AF12 , 5F045AF13 , 5F045CA09 , 5F045CA12 , 5F045CA13 , 5F045DA55 , 5F045DA63 , 5F045DQ08 , 5F045EE19 , 5F045HA14 , 5F073AA20 , 5F073AA26 , 5F073AA45 , 5F073AA64 , 5F073AA73 , 5F073AA74 , 5F073AA86 , 5F073AB04 , 5F073AB13 , 5F073AB25 , 5F073CA07 , 5F073CA17 , 5F073DA05 , 5F073DA06 , 5F073EA02 , 5F088AA03 , 5F088AB07 , 5F088BA15 , 5F088CB04 , 5F088EA09 , 5F088GA05 , 5F088LA01 , 5F088LA09 , 5F103AA04 , 5F103BB06 , 5F103BB59 , 5F103DD03 , 5F103DD05 , 5F103DD08 , 5F103DD30 , 5F103HH03 , 5F103LL03 , 5F103LL04 , 5F103LL17 , 5F103PP06 , 5F103RR01

引用特許：

審査官引用 (9件)

半導体素子及び双方向光送受信モジュール
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-130203 出願人：沖電気工業株式会社
光素子
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-010705 出願人：日本電信電話株式会社
半導体発光素子
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-255413 出願人：株式会社リコー

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