特許
J-GLOBAL ID：200903042197561963
半導体製造装置および半導体製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
長谷川 曉司
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-106922
公開番号（公開出願番号）：特開平9-295890
出願日： 1996年04月26日
公開日（公表日）： 1997年11月18日
要約：
【要約】【課題】AlGaInN系薄膜成長の様に、成長用基板とその上に設けられる半導体単結晶薄膜との結晶構造および/または格子定数が大きく異なる格子不整合エピタキシャル成長において、安定して高品質なエピタキシャルウエハを製造する。【解決手段】第1のチャンバー内で、ガスをプラズマ励起して発生させたラジカルおよび/またはイオンを成長用基板に接触させて改質および/またはクリーニングを行い、第2のチャンバー内にて該成長用基板上への半導体単結晶薄膜の気相成長を行い、かつ該第1のチャンバーと該第2のチャンバーとの間の該成長用基板の移動を大気に接触させることなく行うことを特徴とする方法およびそれに用いる装置。
請求項（抜粋）：
チャンバー内に導入されたガスをプラズマ励起して、ラジカルおよび/またはイオンを発生させて成長用基板に接触させる装置Aと、チャンバー内に導入された原料ガスを熱分解して成長用基板上に半導体単結晶薄膜を気相成長させる装置Bとを、基板搬送手段を具備し、基板搬送時には大気と遮断される搬送室で連結したことを特徴とする半導体製造装置。
IPC (5件)：
C30B 25/02
, C30B 29/38
, H01L 21/20
, H01L 21/205
, H01L 33/00
C30B 25/02 P
, C30B 29/38 Z
, H01L 21/20
, H01L 21/205
, H01L 33/00 C
