特許
J-GLOBAL ID：200903042226993380

固体撮像装置およびカメラ

発明者：
山口 琢己

山口 琢己 について

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春日 繁孝

春日 繁孝 について

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村田 隆彦

村田 隆彦 について


出願人/特許権者：
松下電器産業株式会社

松下電器産業株式会社 について


代理人 (1件)： 新居 広守
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-297766
公開番号（公開出願番号）：特開2005-072795
出願日： 2003年08月21日
公開日（公表日）： 2005年03月17日
要約：
【課題】 MOS型の固体撮像装置において、読み出しトランジスタやリセットトランジスタのゲートの電位を適切に設定できるようにし、さらに、カップリング容量に起因する飽和電荷の低下および非選択行が誤って選択される誤動作を防止する。【解決手段】 飽和電荷の低下を防止するには、N型の読み出し部2のゲートのLowレベルを読み出し部2のゲート下にある撮像領域のP型ウエル13の電位18よりも低く、かつ、周辺回路領域のP型ウエル14の電位19よりも高く設定する電位設定部50を備える。また、非選択行が誤って選択される誤動作を防止するためには、N型のリセット部3のゲートのLowレベルをリセット部3のゲート下にある撮像領域のP型ウエル13の電位18よりも低く、かつ、周辺回路領域のP型ウエル14の電位19よりも高く設定する電位設定部50を備える。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
半導体基板上に単位画素を二次元状に複数配列したMOS型の固体撮像装置であって、 入射光を光電変換する光電変換手段と、 前記光電変換手段で得られた信号電荷を蓄える蓄積手段と、 前記蓄積手段で蓄積された前記信号電荷を検出する検出手段と、 前記蓄積手段で蓄積された前記信号電荷をリセットするN型MOSトランジスタのリセット手段と、 前記リセット手段のゲートのLowレベルを、前記リセット手段のゲート下にある撮像領域のP型ウエルの電位よりも低く設定する電位設定手段と を備えることを特徴とする固体撮像装置。
IPC (2件)：
H04N5/335 ,  H01L27/146
FI (2件)：
H04N5/335 Z ,  H01L27/14 A
Fターム (23件)：
4M118AA10 ,  4M118AB01 ,  4M118BA14 ,  4M118CA03 ,  4M118DB10 ,  4M118DD04 ,  4M118DD12 ,  4M118FA06 ,  4M118FA33 ,  5C024AX01 ,  5C024BX01 ,  5C024CX43 ,  5C024GX03 ,  5C024GX06 ,  5C024GX16 ,  5C024GX18 ,  5C024GX19 ,  5C024GY31 ,  5C024GY38 ,  5C024HX35 ,  5C024HX40 ,  5C024HX41 ,  5C024HX44
引用特許：
出願人引用 (1件) 審査官引用 (5件)
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