特許
J-GLOBAL ID：200903042243782848
単結晶製造方法および製造装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
岡田 全啓
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-329844
公開番号（公開出願番号）：特開2001-151595
出願日： 1999年11月19日
公開日（公表日）： 2001年06月05日
要約：
【要約】【課題】 単結晶育成速度を増大させ、生産量を増大させるとともに、単位生産量あたりの設備投資を抑制することで、より安価に単結晶を供給する。【解決手段】 断面に楕円形状を有する集光加熱炉の一方の焦点Fに材料を配置し、他方の焦点に加熱光源16a,16bを配置し、さらにレーザー光を一方焦点Fないしその付近へ照射して溶融帯を形成し、溶融帯を移動させることにより単結晶を育成する単結晶製造方法および単結晶製造装置において、レーザー光の波長が160nm以上1000nm以下、より好ましくは、750nm以上1000nm以下であることを特徴とする。
請求項（抜粋）：
断面に楕円形状を有する集光加熱炉の一方の焦点に材料を配置し、他方の焦点に加熱光源を配置し、さらにレーザー光を前記一方焦点ないしその付近へ照射して溶融帯を形成し、前記溶融帯を移動させることにより単結晶を育成する単結晶製造方法において、前記レーザー光の波長が160nm以上1000nm以下であることを特徴とする、単結晶製造方法。
Fターム (12件)：
4G077AA02
, 4G077BA01
, 4G077BC21
, 4G077BC22
, 4G077BC25
, 4G077CE03
, 4G077CE05
, 4G077EG20
, 4G077EJ04
, 4G077HA01
, 4G077NE05
, 4G077NE07
