特許
J-GLOBAL ID：200903042254210315

ダミーウエハ及びその製造法

発明者：
小島 宏

小島 宏 について


出願人/特許権者：
旭硝子株式会社

旭硝子株式会社 について


代理人 (1件)： 松井 茂
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-299416
公開番号（公開出願番号）：特開平11-238690
出願日： 1998年10月21日
公開日（公表日）： 1999年08月31日
要約：
【要約】【課題】 表面に付着したCVD膜が厚くなっても剥れにくいダミーウエハ及びその製造法を提供する。【解決手段】 カーボン基板1表面にCVDコーティングによってSiC膜2aを形成し、カーボン基板1を除去してSiC基板2bを作成し、これを研削加工して基板2cとし、更に面取りして基板2dとし、この基板2dをサンドブラストして、平均表面粗さRaが1〜10μmのダミーウエハWaを得る。
請求項（抜粋）：
半導体製造工程での低圧CVD装置に用いられるダミーウエハにおいて、全体がSiCからなり、平均表面粗さRaが1〜10μmであることを特徴とするダミーウエハ。
IPC (3件)：
H01L 21/205 ,  B24C 1/00 ,  C04B 35/565
FI (3件)：
H01L 21/205 ,  B24C 1/00 Z ,  C04B 35/56 101 Y
引用特許：
出願人引用 (4件)
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審査官引用 (4件)
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