特許
J-GLOBAL ID：200903042346140135

半導体装置の多層配線構造

発明者：
金 成奉

金 成奉 について


出願人/特許権者：
三星電子株式会社

三星電子株式会社 について


代理人 (1件)： 大竹 正悟
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-251121
公開番号（公開出願番号）：特開2000-100938
出願日： 1999年09月06日
公開日（公表日）： 2000年04月07日
要約：
【要約】【課題】配線間隔を縮められ、さらなる高集積化を図れるような多層配線の技術を提供する。【解決手段】絶縁膜106を貫通するコンタクトホール内に形成された導電性プラグ108a,108bと、導電性プラグ108a,108bに接触する配線パターン110及びその他の配線パターン112を有する第1配線層と、その上の絶縁膜116を貫通して配線パターン110を露出させるコンタクトホール内の導電性プラグ118aと、絶縁膜116を貫通して配線パターン110,112間に位置した導電性プラグ108bを露出させるコンタクトホール内の導電性プラグ118bと、これら導電性プラグ118a,118bに接触する配線パターン120,122を有する第2配線層と、をもつ構造及び製法とする。上下層の導電性プラグ108b,118bをつなぐコンタクトパッドがいらないので、配線パターン間マージンが少なくてすむ。
請求項（抜粋）：
第1の絶縁膜を貫通して半導体基板の活性領域を露出させる多数の第1及び第2のコンタクトホールと、これら第1及び第2のコンタクトホール内に形成された導電性プラグと、前記第1の絶縁膜上に形成され、前記第1のコンタクトホール内の導電性プラグに接触する配線パターンを少なくとも有する第1の配線層と、これら第1の絶縁膜及び第1の配線層上に順に形成された食刻防止膜及び第2の絶縁膜と、これら第2の絶縁膜及び食刻防止膜を貫通して前記第1の配線層を露出させる第3のコンタクトホールと、前記第2の絶縁膜及び食刻防止膜を貫通して、前記第1の配線層の配線パターン間に位置した前記第2のコンタクトホールを露出させる第4のコンタクトホールと、これら第3及び第4のコンタクトホール内に形成された導電性プラグと、前記第2の絶縁膜上に形成され、前記第3及び第4のコンタクトホール内の導電性プラグに接触する配線パターンを少なくとも有する第2の配線層と、をもつことを特徴とする半導体装置の多層配線構造。
引用特許：
審査官引用 (4件)
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