特許
J-GLOBAL ID：200903057066991188
半導体集積回路装置及びその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
秋田 収喜
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-338301
公開番号（公開出願番号）：特開平11-176932
出願日： 1997年12月09日
公開日（公表日）： 1999年07月02日
要約：
【要約】【課題】 下層の導電プラグと上層の導電プラグとの接続が安定しない。【解決手段】第1の層間絶縁層と、前記第1の層間絶縁層に穿たれたスルーホール内に形成される第1の導電プラグと、前記第1の層間絶縁層上に形成される第2の層間絶縁層と、前記第2の層間絶縁層に穿たれたスルーホール内に形成される第2の導電プラグとを有する半導体集積回路装置であって、前記第1の導電プラグに前記第2の導電プラグを直に接続した構造を有する。
請求項（抜粋）：
第1の層間絶縁層と、前記第1の層間絶縁層に穿たれたコンタクトホール内に形成される第1の導電プラグと、前記第1の層間絶縁層上を延在する配線と、前記配線を覆うように前記第1の層間絶縁層上に形成される第2の層間絶縁層と、前記第2の層間絶縁層に穿たれたコンタクトホール内に形成される第2の導電プラグとを有する半導体集積回路装置であって、前記第2の導電プラグの少なくとも1つの導電プラグは、前記第1の導電プラグに直に接続されていることを特徴とする半導体集積回路装置。
引用特許：
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