特許
J-GLOBAL ID：200903042357385296
現像欠陥防止プロセスおよびそれに用いる組成物
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
鐘尾 宏紀
, 野口 武男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-181127
公開番号（公開出願番号）：特開2004-029088
出願日： 2002年06月21日
公開日（公表日）： 2004年01月29日
要約：
【課題】8インチ以上の大口径基板におけるポジ型の化学増幅型フォトレジスト膜現像時のレジスト現像欠陥を低減するとともに、T-トップ形状などのない良好な形状のレジストパターンを形成する。【解決手段】8インチ以上の大口径基板上に形成されたポジ型化学増幅型フォトレジスト膜上に、酸と塩基の当量比が1:1〜1:3として形成された(1)C4〜C15のパーフルオロアルキルカルボン酸、C4〜C10のパーフルオロアルキルスルホン酸あるいはパーフルオロアジピン酸のアンモニウム塩、テトラアルキルアンモニウム塩またはC1〜C4のアルカノールアミン塩、または(2)無機酸のフッ素化アルキル4級アンモニウム塩を含む現像欠陥防止用組成物を塗布し、露光後、露光後ベークし、現像する。これにより、現像欠陥防止用組成物を塗布しない場合に比べ現像処理後のフォトレジストの膜厚の減少量が、更に100Å〜600Å大きくされる。
請求項（抜粋）：
8インチ以上の基板上にポジ型の化学増幅型フォトレジスト膜を塗付形成する工程と、前記化学増幅型フォトレジスト膜上に界面活性剤を含有する現像欠陥防止用組成物を塗布する工程と、前記化学増幅型フォトレジスト膜を塗付形成する工程および前記現像欠陥防止用組成物を塗布する工程の少なくともいずれかの工程の後においてベークする工程と、前記化学増幅型フォトレジスト膜を選択的に露光する工程と、前記化学増幅型フォトレジスト膜を露光後ベークする工程と、前記化学増幅型フォトレジスト膜の現像を行う工程とを含み、現像処理後の前記化学増幅型フォトレジストの膜厚の減少量を、現像欠陥防止用組成物を塗付しない場合に比べて更に100Å〜600Å大きくするレジストパターンの形成方法であって、前記界面活性剤が、(1)C4〜C15のパーフルオロアルキルカルボン酸のアンモニウム塩、テトラアルキルアンモニウム塩またはC1〜C4のアルカノールアミン塩、(2)C4〜C10のパーフルオロアルキルスルホン酸のアンモニウム塩、テトラアルキルアンモニウム塩またはC1〜C4のアルカノールアミン塩、(3)パーフルオロアジピン酸の4級アンモニウム塩、および(4)硫酸、塩酸、硝酸、ヨウ化水素酸から選ばれた少なくとも一種の無機酸のフッ素化アルキル4級アンモニウム塩、よりなる群から選ばれた少なくとも一種を含み、かつ前記界面活性剤は、該界面活性剤を構成する酸と塩基の当量比が1:1〜1:3の比で形成されたものであることを特徴とするレジストパターンの形成方法。
IPC (3件)：
G03F7/11
, G03F7/38
, H01L21/027
G03F7/11 501
, G03F7/38 501
, H01L21/30 565
2H025AA04
, 2H025AB16
, 2H025BE00
, 2H025BE10
, 2H025BG00
, 2H025DA02
, 2H025DA03
, 2H025FA01
, 2H025FA17
, 2H096AA25
, 2H096BA11
, 2H096DA01
, 2H096DA10
, 2H096FA01
, 2H096GA08
, 5F046JA22
, 5F046JA27
