特許
J-GLOBAL ID：200903043134583203

現像欠陥防止プロセス及び材料

発明者：
高野 祐輔

高野 祐輔 について

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居島 一葉

居島 一葉 について

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船戸 覚

船戸 覚 について

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村上 佳男

村上 佳男 について

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田中 初幸

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出願人/特許権者：
クラリアント ジャパン 株式会社

クラリアント ジャパン 株式会社 について


代理人 (1件)： 鐘尾 宏紀 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-191364
公開番号（公開出願番号）：特開2002-006514
出願日： 2000年06月26日
公開日（公表日）： 2002年01月09日
要約：
【要約】【課題】8インチ以上の大口径基板における現像時のレジスト現像欠陥を低減するとともに、処理雰囲気の影響および表面コーティングとレジストとのインターミックスなどにより引き起こされる、特に化学増幅型フォトレジストのエッチング工程に不都合なT-トップ、ラウンドトップなどのパターン形状の劣化のないレジストパターンを形成する方法を提供する。【解決手段】8インチ以上の基板上に形成された化学増幅型フォトレジスト膜上に、例えば界面活性剤を含有する酸性組成物からなる現像欠陥低減用組成物を塗付することにより、レジスト表面を親水化するとともにレジスト表面に現像液に対する難溶化層を形成せず、かつ現像欠陥低減用組成物からの適当な酸拡散度により、露光、現像後の前記化学増幅型フォトレジストの膜厚の減少量を、現像欠陥低減用組成物を塗付しない場合に比べて更に10Å〜500Å大きくするレジストパターンの形成方法。
請求項（抜粋）：
8インチ以上の基板上に化学増幅型フォトレジスト膜を塗付形成する工程と、前記化学増幅型フォトレジスト膜上に現像欠陥低減用組成物を塗布する工程と、前記化学増幅型フォトレジスト膜を塗付形成する工程および前記現像欠陥低減用組成物を塗布する工程の少なくともいずれかの工程の後においてベークする工程と、前記化学増幅型フォトレジスト膜を選択的に露光する工程と、前記化学増幅型フォトレジスト膜を露光後ベークする工程と、前記化学増幅型フォトレジスト膜の現像を行う工程を含み、現像処理後の前記化学増幅型フォトレジストの膜厚の減少量を、現像欠陥低減用組成物を塗付しない場合に比べて更に10Å〜500Å大きくすることを特徴とするレジストパターンの形成方法。
IPC (2件)：
G03F 7/38 501 ,  H01L 21/027
FI (2件)：
G03F 7/38 501 ,  H01L 21/30 565
Fターム (9件)：
2H096AA25 ,  2H096BA11 ,  2H096DA01 ,  2H096DA04 ,  2H096EA03 ,  2H096EA04 ,  2H096FA01 ,  2H096GA08 ,  5F046JA22
引用特許：
出願人引用 (5件)
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審査官引用 (4件)
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