特許
J-GLOBAL ID：200903042401105212

不揮発性半導体メモリ装置およびその電荷注入方法

発明者：
富家 英登

富家 英登 について

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寺野 登志夫

寺野 登志夫 について

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小林 敏夫

小林 敏夫 について


出願人/特許権者：
ソニー株式会社

ソニー株式会社 について


代理人 (1件)： 佐藤 隆久
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-351417
公開番号（公開出願番号）：特開2003-051558
出願日： 2001年11月16日
公開日（公表日）： 2003年02月21日
要約：
【要約】【課題】 高効率のソースサイド注入に好適なチャネル構造を新たに提案し、それを用いた不揮発性半導体メモリ装置と、電荷注入方法とを提供する。【解決手段】 チャネル形成領域CH1,CH2a,CH2bと、チャネル形成領域を挟む第1導電型半導体からなる2つのソース・ドレイン領域S/Dと、電荷蓄積能力を有した積層膜GDを介在させてチャネル形成領域上に形成されたゲート電極MGa,MGbとを有している。チャネル形成領域が、第2導電型半導体からなり、反転層によりチャネルが形成される反転層形成領域(CH1をなす基板SUBの表面領域)と、第1導電型半導体からなり、多数キャリアの蓄積層によりチャネルが形成される蓄積層形成領域ACLa,ACLbとからなる。記憶部1に書き込む場合、蓄積層形成領域ACLaの存在により水平方向電界Exの集中性が良くなり電荷注入効率が向上した。
請求項（抜粋）：
チャネル形成領域と、チャネル形成領域を挟む第1導電型半導体からなる2つのソース・ドレイン領域と、電荷蓄積能力を有した積層膜を介在させてチャネル形成領域上に形成されたゲート電極とを有した不揮発性半導体メモリ装置であって、上記チャネル形成領域が、第2導電型半導体からなり、反転層によりチャネルが形成される反転層形成領域と、第1導電型半導体からなり、多数キャリアの蓄積層によりチャネルが形成される蓄積層形成領域とからなる不揮発性半導体メモリ装置。
IPC (5件)：
H01L 21/8247 ,  H01L 27/10 461 ,  H01L 27/115 ,  H01L 29/788 ,  H01L 29/792
FI (3件)：
H01L 27/10 461 ,  H01L 29/78 371 ,  H01L 27/10 434
Fターム (23件)：
5F083EP18 ,  5F083EP28 ,  5F083EP32 ,  5F083EP35 ,  5F083EP63 ,  5F083ER02 ,  5F083ER03 ,  5F083ER05 ,  5F083ER11 ,  5F083ER17 ,  5F083ER19 ,  5F083ER30 ,  5F083ZA21 ,  5F101BA45 ,  5F101BC04 ,  5F101BC11 ,  5F101BD05 ,  5F101BD07 ,  5F101BD14 ,  5F101BD15 ,  5F101BD22 ,  5F101BE05 ,  5F101BE07
引用特許：
審査官引用 (7件)
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引用文献：
審査官引用 (1件)

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