特許
J-GLOBAL ID：200903073672330982

半導体装置

発明者：
坂上 栄人

坂上 栄人 について

, 
成毛 清実

成毛 清実 について


出願人/特許権者：
株式会社東芝

株式会社東芝 について


代理人 (1件)： 外川 英明
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-060621
公開番号（公開出願番号）：特開平9-252059
出願日： 1996年03月18日
公開日（公表日）： 1997年09月22日
要約：
【要約】【課題】 選択トランジスタが不要で微細化を図りつつ、信頼性の高い不揮発性半導体記憶装置を提供すること。【解決手段】 第一導電型の半導体基板(1)内に形成された第二導電型の第一、第二の拡散層(20、21)と、これらの拡散層間に存在するチャネル領域上の一部と第一の拡散層上の一部に第一の絶縁膜を介して形成されたゲート電極とから構成され、このゲート電極と第二の拡散層の間に存在するチャネル領域上に、少なくとも2層構造で膜厚が30nm以下となる第二の絶縁膜の一部が電荷蓄積層となることを特徴とする半導体装置を提供する。
請求項（抜粋）：
第一導電型の半導体基板内に形成された第二導電型の第一、第二の拡散層と、第一、第二の拡散層間に存在するチャネル領域上の一部と第一の拡散層上の一部に第一の絶縁膜を介して形成された第一のゲート電極とから構成され、前記第1のゲート電極と第二の拡散層の間に存在するチャネル領域上に、少なくとも膜種の異なる2層以上の構造で膜厚が30nm以下となる第二の絶縁膜を持ち、この第二の絶縁膜の一部が電荷蓄積層となることを特徴とする半導体装置。
IPC (4件)：
H01L 21/8247 ,  H01L 29/788 ,  H01L 29/792 ,  H01L 29/78
FI (2件)：
H01L 29/78 371 ,  H01L 29/78 301 G
引用特許：
出願人引用 (6件)
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審査官引用 (9件)
  • 特開昭61-241966
  • 特開昭63-204770
  • 不揮発性メモリ
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-006804   出願人：ローム株式会社
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