レーザードーピング処理方法及び薄膜トランジスタの作製方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-321619
公開番号（公開出願番号）：特開2004-158564
出願日： 2002年11月05日
公開日（公表日）： 2004年06月03日
要約：

【課題】濃度制御が容易であり、かつ、大面積に対するドーピングを実用的に行うことができ、さらに、特殊な装置を必要としない簡便なドーピング方法を提供することを課題とする。【手段】本発明ではドーパントを含む液体を、ドーピングを行う半導体の表面に塗布してから、該半導体の表面にレーザー光を照射することでドーパントを該半導体に添加するレーザードーピング処理方法を提案する。また、同時に結晶化も行うことが可能である。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

絶縁表面を有する基板上に形成された非晶質半導体層上にドーパントを含む液体を塗布し、レーザー光を照射することによって前記非晶質半導体層を結晶化し、結晶質半導体層とすることと同時に、前記結晶質半導体層にドーパントの添加を行うことを特徴とするレーザードーピング処理方法。

IPC (5件)：

H01L21/22 , H01L21/20 , H01L21/268 , H01L21/336 , H01L29/786

FI (5件)：

H01L21/22 E , H01L21/20 , H01L21/268 F , H01L29/78 618F , H01L29/78 627G

Fターム (90件)：

5F052AA02 , 5F052BA02 , 5F052BA07 , 5F052BB01 , 5F052BB02 , 5F052BB05 , 5F052BB07 , 5F052DA02 , 5F052DA03 , 5F052DB02 , 5F052DB03 , 5F052DB07 , 5F052EA12 , 5F052EA16 , 5F052FA06 , 5F052HA07 , 5F052JA01 , 5F110AA08 , 5F110AA16 , 5F110BB02 , 5F110BB04 , 5F110CC02 , 5F110DD01 , 5F110DD02 , 5F110DD03 , 5F110DD13 , 5F110DD14 , 5F110DD15 , 5F110DD17 , 5F110EE01 , 5F110EE02 , 5F110EE03 , 5F110EE04 , 5F110EE06 , 5F110EE09 , 5F110EE14 , 5F110EE15 , 5F110EE23 , 5F110EE44 , 5F110FF02 , 5F110FF28 , 5F110FF30 , 5F110FF32 , 5F110GG01 , 5F110GG02 , 5F110GG25 , 5F110GG32 , 5F110GG34 , 5F110GG43 , 5F110GG45 , 5F110GG47 , 5F110GG51 , 5F110GG54 , 5F110HJ01 , 5F110HJ04 , 5F110HJ12 , 5F110HJ13 , 5F110HJ23 , 5F110HL01 , 5F110HL02 , 5F110HL03 , 5F110HL04 , 5F110HL06 , 5F110HL11 , 5F110HL12 , 5F110HM15 , 5F110NN03 , 5F110NN04 , 5F110NN22 , 5F110NN23 , 5F110NN24 , 5F110NN27 , 5F110NN34 , 5F110NN35 , 5F110PP01 , 5F110PP03 , 5F110PP04 , 5F110PP06 , 5F110PP10 , 5F110PP26 , 5F110PP32 , 5F110PP34 , 5F110QQ04 , 5F110QQ08 , 5F110QQ11 , 5F110QQ19 , 5F110QQ23 , 5F110QQ24 , 5F110QQ25 , 5F110QQ28

引用特許：

審査官引用 (4件)

特開平4-356931
ホウ素拡散用塗布液
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-350729 出願人：東京応化工業株式会社
結晶質半導体膜の作製方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-031767 出願人：株式会社半導体エネルギー研究所, シャープ株式会社

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