結晶質半導体膜の作製方法

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出願人/特許権者： ,
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-031767
公開番号（公開出願番号）：特開2002-237453
出願日： 2001年02月08日
公開日（公表日）： 2002年08月23日
要約：

【要約】【課題】シリコンを含む結晶質半導体膜の作製工程の一部であるスピン処理法による触媒元素溶液の添加工程は、基板上に触媒元素溶液を液盛りした後にスピン乾燥する構成である為、大半の触媒元素溶液は処理時に捨てており、溶液使用量の問題がある。また、スピン処理装置は、基板の大型化に伴い、処理均一性の確保が益々困難になっており、装置価格が高価格になるという問題も懸念されている。本発明は、上記問題を解決することを課題とする。【解決手段】スピン処理法が抱える問題点の解決手段として、ロール式処理法(図2(A))、枚様方式のディップ式処理法(図2(B))、又はスプレー式(又はシャワー式)処理法(図2(C))を用いると、何れの処理法でも基板上に触媒元素溶液を液盛りしない為触媒元素溶液の使用量削減に有効である。またスピン処理手段を有してない為装置価格もある程度の範囲に抑えることができる。

請求項（抜粋）：

絶縁性基板上にシリコンを含む非晶質半導体膜を堆積する第1の工程と、前記非晶質半導体膜の一部の領域に結晶化を助長する触媒元素をロール式処理法により添加する第2の工程と、前記非晶質半導体膜を熱処理することにより触媒元素の添加領域に結晶質半導体膜を成膜する第3の工程とから成る結晶質半導体膜の作製方法。

IPC (3件)：

H01L 21/20 , H01L 29/786 , H01L 21/336

FI (2件)：

H01L 21/20 , H01L 29/78 627 G

Fターム (64件)：

5F052AA02 , 5F052AA11 , 5F052BB07 , 5F052CA10 , 5F052DA02 , 5F052DB02 , 5F052DB03 , 5F052EA15 , 5F052FA06 , 5F052FA19 , 5F052JA01 , 5F110BB02 , 5F110BB04 , 5F110CC02 , 5F110DD02 , 5F110DD03 , 5F110DD15 , 5F110DD17 , 5F110EE04 , 5F110EE05 , 5F110EE09 , 5F110EE28 , 5F110EE44 , 5F110EE45 , 5F110FF04 , 5F110FF12 , 5F110FF30 , 5F110GG02 , 5F110GG13 , 5F110GG24 , 5F110GG25 , 5F110GG32 , 5F110GG45 , 5F110GG47 , 5F110GG52 , 5F110HJ01 , 5F110HJ04 , 5F110HJ12 , 5F110HJ13 , 5F110HJ23 , 5F110HL04 , 5F110HL06 , 5F110HL07 , 5F110HL11 , 5F110HM15 , 5F110NN03 , 5F110NN04 , 5F110NN22 , 5F110NN27 , 5F110NN35 , 5F110NN72 , 5F110PP01 , 5F110PP03 , 5F110PP04 , 5F110PP10 , 5F110PP13 , 5F110PP22 , 5F110PP23 , 5F110PP29 , 5F110PP34 , 5F110PP35 , 5F110QQ11 , 5F110QQ24 , 5F110QQ28

引用特許：

審査官引用 (8件)

半導体回路およびその作製方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-262591 出願人：株式会社半導体エネルギー研究所
半導体作製方法およびその作製装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-319223 出願人：株式会社半導体エネルギー研究所
薄膜半導体装置とその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-189037 出願人：セイコーエプソン株式会社

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