特許
J-GLOBAL ID：200903042406142361

半導体発光装置

発明者：
杉山 卓史

杉山 卓史 について

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▲濱▼ 敦智

▲濱▼ 敦智 について

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長濱 慎一

長濱 慎一 について


出願人/特許権者：
日亜化学工業株式会社

日亜化学工業株式会社 について


代理人 (2件)： 豊栖 康司 ,  豊栖 康弘
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-151141
公開番号（公開出願番号）：特開2008-305936
出願日： 2007年06月07日
公開日（公表日）： 2008年12月18日
要約：
【課題】所望の波長を有する高輝度な光を出射可能であって、ライフ特性に優れた半導体発光装置を提供する。【解決手段】半導体発光装置は略円筒状の封止用キャップ4の外面側を、さらに略円筒状の外側キャップ6が被覆してなり、つまり2重のキャップ構造を備える。封止用キャップ4とステム3aとで気密状態に封止された封止領域12内に位置する半導体レーザ素子2aからの出射光は、封止用キャップ4に支持された光透過体5を透過し、さらに外側キャップ6に固定され且つ所定の受光面積を有する波長変換部材7でもって波長変換され、半導体発光素子2からの出射光の波長と異なる波長を出射可能とする。【選択図】図2
請求項（抜粋）：
半導体発光素子と、 前記半導体発光素子を固定可能な支持体と、 前記半導体発光素子からの出射光を透過する光透過体と、 前記支持体に固定され、前記光透過体を支持する封止用キャップと、 前記封止用キャップの外側に配置され、前記光透過体より透過された透過光の少なくとも一部を波長変換可能な波長変換部材及び前記波長変換部材を支持する外側キャップと、 を有することを特徴とする半導体発光装置。
IPC (1件)：
H01L 33/00
FI (1件)：
H01L33/00 N
Fターム (6件)：
5F041AA10 ,  5F041AA11 ,  5F041AA44 ,  5F041DA12 ,  5F041DA75 ,  5F041EE25
引用特許：
出願人引用 (1件) 審査官引用 (18件)
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