特許
J-GLOBAL ID：200903042417840001

結晶化装置および結晶化方法

発明者：
大野 隆

大野 隆 について

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四元 茂之

四元 茂之 について

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松村 正清

松村 正清 について

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加藤 智也

加藤 智也 について

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東 和文

東 和文 について


出願人/特許権者：
株式会社 液晶先端技術開発センター

株式会社 液晶先端技術開発センター について


代理人 (8件)： 鈴江 武彦 ,  河野 哲 ,  中村 誠 ,  蔵田 昌俊 ,  峰 隆司 ,  福原 淑弘 ,  村松 貞男 ,  橋本 良郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-166152
公開番号（公開出願番号）：特開2007-335654
出願日： 2006年06月15日
公開日（公表日）： 2007年12月27日
要約：
【課題】ジッタの問題を生じることなく再現性に優れたパルス出力を得ることができ、生産効率が高い、大量生産方式に適した結晶化装置および結晶化方法を提供する。【解決手段】単一のレーザー光源31を有する照明系3と、被処理基板を照明系に対して位置合せ可能に支持する基板ステージ6と、レーザー光の位相を変調して所望の光強度分布を有する変調レーザー光とする位相シフタ1,2と、照明系を通過したレーザー光を基板ステージ上の被処理基板の像面において結像させる結像光学系4と、を具備する結晶化装置であって、照明系3は、パルスレーザー光を複数に分割する光分割手段32と、分割された複数のレーザー光の間に所望の光路長差を設定する光路長差設定手段M1-M10,50と、 前記光路長差が設定された複数のパルスレーザー光を合成する光合成手段34とを有する。【選択図】 図2
請求項（抜粋）：
逆ピークパターン状のパルスレーザー光を非単結晶半導体膜に照射して該非単結晶半導体膜を部分的に溶融させ、その凝固過程で結晶化する結晶粒をラテラル成長させる結晶化装置であって、 単一のレーザー光源を有する照明系と、 非単結晶半導体膜を有する被処理基板を前記照明系に対して位置合せ可能に支持する基板ステージと、 前記照明系から前記基板ステージまでの間に設けられ、レーザー光の位相を変調し、所望の光強度分布を有する変調レーザー光とする位相シフタと、 前記照明系を通過したレーザー光を前記基板ステージ上の被処理基板の像面において結像させる結像光学系と、を具備し、 前記照明系は、 前記パルスレーザー光を複数に分割する光分割手段と、 前記分割された複数のパルスレーザー光の間に所望の光路長差を設定する光路長差設定手段と、 前記光路長差が設定された複数のパルスレーザー光を合成する光合成手段と、 を具備することを特徴とする結晶化装置。
IPC (2件)：
H01L 21/20 ,  H01L 21/268
FI (2件)：
H01L21/20 ,  H01L21/268 J
Fターム (24件)：
5F152AA02 ,  5F152AA06 ,  5F152BB02 ,  5F152CC02 ,  5F152CD03 ,  5F152CD13 ,  5F152CE05 ,  5F152CE12 ,  5F152CE24 ,  5F152CF03 ,  5F152CF13 ,  5F152EE01 ,  5F152EE03 ,  5F152EE04 ,  5F152FF03 ,  5F152FF06 ,  5F152FF28 ,  5F152FF33 ,  5F152FG05 ,  5F152FG19 ,  5F152FG29 ,  5F152FH03 ,  5F152FH04 ,  5F152FH19
引用特許：
出願人引用 (1件) 審査官引用 (5件)
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