特許
J-GLOBAL ID：200903042426244497
半導体装置におけるコンタクト部の形成方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
長谷川 和音
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-166172
公開番号（公開出願番号）：特開平9-017867
出願日： 1995年06月30日
公開日（公表日）： 1997年01月17日
要約：
【要約】イオン注入による半導体基板の表層部の損傷形成によるコンタクト抵抗の増加するのを防止できる半導体装置におけるコンタクト部の形成方法を提供する。【構成】シリコン基板11の主面上の所定の領域の範囲内に不純物イオンを注入してソース領域17、20及びドレイン領域18、21を形成し、シリコン基板11の主面上に層間絶縁膜22を形成する。層間絶縁膜22を選択的にエッチングしてソース領域17、20及びドレイン領域18、21内のシリコン基板11の表面を露出させるコンタクトホール23〜26を形成する。コンタクトホール23〜26内に露出したシリコン基板11の表面上に層間絶縁膜22の残留物を実質的に全て取り除くためにシリコン基板11に対してオーバーエッチングを施す。その後シリコン基板11にランプアニールによりアニール処理を施して不純物イオンの注入及びオーバーエッチングにより生じた損傷を回復させる。
請求項（抜粋）：
半導体基板の主面上の所定の領域の範囲内に不純物イオンを注入する工程、前記不純物イオンが注入された領域を含む前記半導体基板の主面上に層間絶縁膜を形成する工程、前記層間絶縁膜を選択的にエッチングして前記不純物イオンが注入された領域内の前記半導体基板の表面を露出させるコンタクトホールを形成する工程、前記コンタクトホールが形成された後に前記コンタクトホール内に露出した前記半導体基板の表面上に存在する前記層間絶縁膜の残留物を実質的に全て取り除くために前記半導体基板に対してオーバーエッチングを施す工程、前記半導体基板にランプアニールによりアニール処理を施して前記半導体基板の表層部に前記不純物イオンの注入およびオーバーエッチングにより生じた損傷を回復させる工程、および、前記コンタクトホールを含む前記層間絶縁膜の表面上に前記コンタクトホールを介して前記不純物イオンが注入された領域内の前記半導体基板と電気的に接続された上部配線層を形成する工程を具備する半導体装置におけるコンタクト部の形成方法。
IPC (4件)：
H01L 21/768
, H01L 21/26
, H01L 21/28
, H01L 21/3065
H01L 21/90 D
, H01L 21/28 L
, H01L 21/26 L
, H01L 21/302 N
