特許

J-GLOBAL ID：200903042467014587

窒化物系半導体層の形成方法、窒化物系半導体、窒化物系半導体素子の製造方法および窒化物系半導体素子

発明者： 狩野 隆司 ,  林 伸彦 ,  松下 保彦
出願人/特許権者： 三洋電機株式会社
代理人 (1件)： 福島 祥人
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-269197
公開番号（公開出願番号）：特開2001-094216
出願日： 1999年09月22日
公開日（公表日）： 2001年04月06日
要約：

【要約】【課題】 複数の結晶方位の中から適切な方位を選択して素子領域を配置することが可能な窒化物系半導体層の形成方法、窒化物系半導体素子の製造方法、窒化物系半導体および窒化物系半導体素子を提供することである。【解決手段】 サファイア基板上に設けられたGaN層3の表面に、島状に点在する複数の六角形のパターン5を形成する。六角形のパターン5の間に露出したGaN層3の表面からラテラル成長法により再成長GaN層6を結晶成長させる。

請求項（抜粋）：

第1の窒化物系半導体層または基板からなる下地の表面に島状に点在する複数の凸部からなる凹凸パターンを形成し、前記凹凸パターン上に第2の窒化物系半導体層を形成することを特徴とする窒化物系半導体層の形成方法。

IPC (3件)：

H01S 5/323 ,  H01L 21/205 ,  H01L 33/00

FI (3件)：

H01S 5/323 ,  H01L 21/205 ,  H01L 33/00 C

Fターム (35件)：

5F041AA40 ,  5F041CA04 ,  5F041CA05 ,  5F041CA34 ,  5F041CA40 ,  5F041CA46 ,  5F041CA65 ,  5F045AA04 ,  5F045AA08 ,  5F045AB14 ,  5F045AB17 ,  5F045AB32 ,  5F045AC08 ,  5F045AC09 ,  5F045AC12 ,  5F045AD10 ,  5F045AD12 ,  5F045AD14 ,  5F045AF09 ,  5F045AF12 ,  5F045AF13 ,  5F045AF20 ,  5F045BB12 ,  5F045CA12 ,  5F045DA53 ,  5F045DA55 ,  5F073AA74 ,  5F073CA07 ,  5F073CB05 ,  5F073CB06 ,  5F073CB11 ,  5F073DA05 ,  5F073DA21 ,  5F073DA32 ,  5F073EA28

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 窒化物半導体素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-126989   出願人：日亜化学工業株式会社
• 窒化物半導体レーザ素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-151392   出願人：日亜化学工業株式会社
• 転位線の伝搬方向の制御方法およびその用途
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-293049   出願人：三菱電線工業株式会社