特許
J-GLOBAL ID：200903042495374106
導体パターン形成方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
吉田 稔 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-200050
公開番号（公開出願番号）：特開2001-026880
出願日： 1999年07月14日
公開日（公表日）： 2001年01月30日
要約：
【要約】【課題】 所定の対象物に対して、ファインピッチ化されたパターンを容易かつ確実に形成できる導体パターン形成方法を提供する。【解決手段】 有機化合物を主原料とする対象物1の表面に、金属イオン(M+)を保持させる工程と、保持された金属イオン(M+ )を、対象物1の表面に還元析出させて触媒化する工程と、を含む導体パターン形成方法において、金属イオン(M+ )を保持させる工程を、対象物1を構成する有機化合物のカルボキシル基(-COOH)を導入した後に、当該カルボキシル基(-COOH)から水素イオン(H+ )を遊離させたカルボキシラートイオン(-COO- )に、金属イオン(M+ )を結合させることにより行う。好ましくは、有機化合物へのカルボキシル基(-COOH)の導入を、その側鎖ないし末端基を酸化することにより行う。また、有機化合物の側鎖ないし末端基の酸化または金属イオン(M+ )の触媒化を、対象物1にレーザ2にレーザ光を照射することにより行う。
請求項（抜粋）：
有機化合物を主原料とする対象物の表面に、金属イオンを保持させる工程と、保持された金属イオンを、上記対象物の表面に還元析出させて触媒化する工程と、を含む導体パターン形成方法であって、上記金属イオンを保持させる工程は、上記有機化合物にカルボキシル基を導入した後に、当該カルボキシル基から水素イオンを遊離したカルボキシラートイオンに、金属イオンを結合させることにより行われることを特徴とする、導体パターン形成方法。
IPC (2件)：
C23C 18/30
, H01L 21/3205
C23C 18/30
, H01L 21/88 B
4K022AA42
, 4K022BA35
, 4K022CA03
, 4K022CA06
, 4K022CA07
, 4K022CA12
, 4K022CA15
, 4K022CA19
, 4K022CA20
, 4K022CA21
, 4K022CA23
, 4K022DA01
, 5F033HH07
, 5F033HH11
, 5F033HH13
, 5F033HH14
, 5F033PP28
, 5F033PP31
, 5F033QQ53
, 5F033QQ54
, 5F033QQ89
, 5F033RR21
, 5F033RR22
