特許

J-GLOBAL ID：200903042500918217

基板を再生する方法

発明者： ファブリス ルタートル ,  クリストファー マルヴィーユ ,  ティボー モーリス ,  カルロス マズール ,  フレデリク メトラル
出願人/特許権者： エス オー アイ テック シリコン オン インシュレータ テクノロジーズ
代理人 (3件)： 山田 行一 ,  鈴木 康仁 ,  二宮 克之
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-407956
公開番号（公開出願番号）：特開2004-260137
出願日： 2003年12月05日
公開日（公表日）： 2004年09月16日
要約：

【課題】表面上の残留物と注入処理に起因する分離プロフィルとを有する基板を再生する方法に関する。【解決手段】分離プロフィルのレベルに実質的に等しいレベルまで残留物を基板から除去するステップを含み、実質的に均一で平坦な表面を基板上に獲得し、また、欠陥を取り除くために基板の表面全体を研磨するステップを含む。【選択図】図2

請求項（抜粋）：

表面上の残留物とイオン注入処理に起因する分離プロフィルとを持つ基板を再生する方法であって、 実質的に均一で平坦な表面を上記基板上に獲得するために上記分離プロフィルのレベルに実質的に等しいレベルまで上記残留物を上記基板から除去するステップと、 欠陥を取り除くために且つ別の基板との分子結合に向け表面を良好な状態に準備するために上記基板の上記表面全体を研磨するステップと を含む方法。

IPC (2件)：

H01L21/304 ,  H01L21/02

FI (2件)：

H01L21/304 621Z ,  H01L21/02 B

Fターム (3件)：

5F004AA14 ,  5F004BA11 ,  5F004DA23

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 剥離ウエーハの再生処理方法及び再生処理された剥離ウエーハ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-338137   出願人：信越半導体株式会社, エスオーアイテックシリコンオンインシュレータテクノロジーズ
• 基体の処理方法及び半導体基板の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-025483   出願人：キヤノン株式会社
• 半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-167178   出願人：松下電工株式会社
• 剥離ウエーハを再利用する方法および再利用に供されるシリコンウエーハ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-114176   出願人：信越半導体株式会社, エスオーアイテックエス・エー