特許

J-GLOBAL ID：200903055292709212

剥離ウエーハの再生処理方法及び再生処理された剥離ウエーハ

発明者： 桑原 登 ,  三谷 清 ,  楯 直人 ,  中野 正剛 ,  チリー バージュ ,  クリストファー マルヴィーユ
出願人/特許権者： 信越半導体株式会社 ,  エス オー アイ テック シリコン オン インシュレータ テクノロジーズ
代理人 (1件)： 好宮 幹夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-338137
公開番号（公開出願番号）：特開2001-155978
出願日： 1999年11月29日
公開日（公表日）： 2001年06月08日
要約：

【要約】【課題】 再生処理した剥離ウエーハに熱処理を施してもパーティクルが発生せず、再生されたウエーハの品質が高く、歩留りが良い剥離ウエーハの再生処理方法及び再生されたウエーハを提供する。【解決手段】 イオン注入剥離法によって結合ウエーハを製造する際に副生される剥離ウエーハを再生処理する方法において、前記剥離ウエーハの少なくとも面取り部のイオン注入層を除去した後、ウエーハ表面を研磨する。具体的には、剥離ウエーハの少なくとも面取り部のエッチング処理及び/または面取り加工をした後、研磨する。あるいは、前記剥離ウエーハを熱処理した後、研磨する。

請求項（抜粋）：

イオン注入剥離法によって結合ウエーハを製造する際に副生される剥離ウエーハを再生処理する方法において、前記剥離ウエーハの少なくとも面取り部のイオン注入層を除去した後、ウエーハ表面を研磨することを特徴とする剥離ウエーハの再生処理方法。

IPC (3件)：

H01L 21/02 ,  H01L 21/306 ,  H01L 27/12

FI (3件)：

H01L 21/02 B ,  H01L 27/12 B ,  H01L 21/306 B

Fターム (6件)：

5F043AA09 ,  5F043BB01 ,  5F043DD01 ,  5F043DD12 ,  5F043DD30 ,  5F043GG10

引用特許：

出願人引用 (4件)

• 剥離ウエーハを再利用する方法および再利用に供されるシリコンウエーハ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-114176   出願人：信越半導体株式会社, エスオーアイテックエス・エー
• 半導体基体とその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-264386   出願人：キヤノン株式会社
• 薄い半導体材料フィルムの製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-246594   出願人：コミサリヤ・ア・レネルジ・アトミク
• 半導体基板の作製方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-045441   出願人：キヤノン株式会社

審査官引用 (4件)

• 剥離ウエーハを再利用する方法および再利用に供されるシリコンウエーハ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-114176   出願人：信越半導体株式会社, エスオーアイテックエス・エー
• 半導体基体とその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-264386   出願人：キヤノン株式会社
• 薄い半導体材料フィルムの製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-246594   出願人：コミサリヤ・ア・レネルジ・アトミク
• 半導体基板の作製方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-045441   出願人：キヤノン株式会社