特許
J-GLOBAL ID：200903060462830074

基体の処理方法及び半導体基板の製造方法

発明者：
坂口 清文

坂口 清文 について

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近江 和明

近江 和明 について

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柳田 一隆

柳田 一隆 について


出願人/特許権者：
キヤノン株式会社

キヤノン株式会社 について


代理人 (1件)： 大塚 康徳 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-025483
公開番号（公開出願番号）：特開2000-223682
出願日： 1999年02月02日
公開日（公表日）： 2000年08月11日
要約：
【要約】【課題】第1の基板と第2の基板とを貼り合わせて貼り合わせ基板を作成し、その後、多孔質層で貼り合わせ基板を分離することによりSOI基板を製造する方法において、分離後の第1の基板の平坦化を容易にし、該第1の基板の再利用を容易にする。【解決手段】まず、分離後の第1の基板10’の外周部に残留する絶縁層14bを選択的に除去し、その後、単結晶Si基板11上の多孔質層12aを選択的に除去する。
請求項（抜粋）：
分離層を有し、その上に移設層を有する第1の基体と第2の基体とを貼り合わせて貼り合わせ基体を作成し、その後、該貼り合わせ基体を主に前記分離層で分離することにより、前記移設層の一部の領域を第2の基体に移設した後に残る利用済みの第1の基体を処理する処理方法であって、前記利用済みの第1の基体に残留する移設層を除去する移設層除去工程を実施し、その後、前記利用済みの第1の基体の表面に残留する前記分離用の層を除去する分離層除去工程を実施する、ことを特徴とする処理方法。
IPC (3件)：
H01L 27/12 ,  H01L 21/265 ,  H01L 21/306
FI (3件)：
H01L 27/12 B ,  H01L 21/265 W ,  H01L 21/306 B
Fターム (7件)：
5F043AA09 ,  5F043BB01 ,  5F043DD10 ,  5F043DD16 ,  5F043DD23 ,  5F043FF07 ,  5F043GG10
引用特許：
審査官引用 (6件)
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引用文献：
審査官引用 (1件)

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