半導体集積回路装置

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (5件)：小栗昌平 , 本多弘徳 , 市川利光 , 高松猛 , 濱田百合子
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-358891
公開番号（公開出願番号）：特開2004-165649
出願日： 2003年10月20日
公開日（公表日）： 2004年06月10日
要約：

【課題】 MOSFETのサブスレッショルド領域、あるいは飽和領域のある任意のゲート電圧値のドレイン電流が温度依存性、プロセスばらつき依存性がないようにMOSFETの基板電圧を制御可能とする。【解決手段】半導体基板上に集積回路本体16Aと、複数のMOSFETのうちの少なくとも一つのドレイン電流をモニタするモニタ手段15Aと、ドレイン電流が一定になるように、半導体基板の基板電圧BPを制御する基板電圧調整手段14Aを具備し、モニタ手段は、定電流源12Aと、前記複数のMOSFETと同一基板上に形成されたモニタ用MOSFET11Aと、を具備し、基板電圧調整手段は、モニタ用MOSFETのドレイン端子と、集積回路本体の複数のMOSFETのドレイン端子と、を接地電位に接続した状態で、モニタ用MOSFETのソース電位と、あらかじめ決められた基準電位と、を比較する比較手段13Aを具備し、比較結果を、モニタ用MOSFETの基板電圧にフィードバックした。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

半導体基板上に複数のMOSFETを備えた集積回路本体と、前記複数のMOSFETのうちの少なくとも一つのドレイン電流をモニタするモニタ手段と、前記ドレイン電流が一定になるように、前記半導体基板の基板電圧を制御する基板電圧調整手段を具備したことを特徴とする半導体集積回路装置。

IPC (3件)：

H01L21/822 , H01L27/04 , H03K19/00

FI (3件)：

H01L27/04 G , H03K19/00 A , H01L27/04 H

Fターム (19件)：

5F038BG09 , 5F038BH16 , 5F038DF01 , 5F038EZ20 , 5J056AA00 , 5J056BB28 , 5J056CC00 , 5J056CC03 , 5J056CC04 , 5J056CC09 , 5J056CC10 , 5J056CC13 , 5J056CC16 , 5J056DD13 , 5J056DD29 , 5J056FF06 , 5J056FF09 , 5J056GG04 , 5J056KK03

引用特許：

審査官引用 (4件)

半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-285368 出願人：富士通株式会社, 富士通ヴィエルエスアイ株式会社
MOSトランジスタの閾値電圧を調整する装置および方法
公報種別：公表公報出願番号：特願平6-522441 出願人：ナショナル・セミコンダクター・コーポレイション
MOS論理回路のトランジスタのウェルとソースの間の電圧を制御する回路、及び電源装置をMOS論理回路に連動させるためのシステム
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-091962 出願人：セーエスウーエム・サントル・スイス・デレクトロニク・エ・ドゥ・ミクロテクニク・エスアー・ルシェルシュ・エ・デヴェロプマン

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