センスアンプ

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：青山葆 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-011779
公開番号（公開出願番号）：特開平8-203287
出願日： 1995年01月27日
公開日（公表日）： 1996年08月09日
要約：

【要約】【目的】低消費電力であり、高速にデータ読み出しが行えるセンスアンプを提供する。【構成】選択メモリセル151に接続される読出用センスアンプ100と、比較用メモリセル251に接続される比較用センスアンプ200とを有するセンスアンプであって、電流検出用トランジスタ103と電源156との間にセンスアンプの動作時のみオン状態となる貫通電流防止用のトランジスタ104と、ビットライン152と接地との間に配置されセンスアンプが非動作時のみオン状態となるディスプリチャージ用トランジスタ106とを備えた。

請求項（抜粋）：

選択メモリセルを含む読出用センスアンプと、上記選択メモリセルに対応する比較用メモリセルを含む比較用センスアンプとを有し、クロック変化によって動作し上記選択メモリセルと上記比較用メモリセルとの出力を差動増幅するセンスアンプであって、上記読出用センスアンプ及び上記比較用センスアンプは、上記選択メモリセルの出力線であるビットラインがゲートに接続される第1nチャネルトランジスタ、及びゲートが接地される第2pチャネルトランジスタを有し上記ビットラインの電位を反転させるインバータ回路と、上記ビットラインに接続されかつ上記第1nチャネルトランジスタと上記第2pチャネルトランジスタとの接続点がゲートに接続される第3nチャネルトランジスタと、上記第3nチャネルトランジスタに直列に接続される電流検出用第4pチャネルトランジスタとを有し、さらに、上記第4pチャネルトランジスタと電源との間に配置され上記センスアンプの動作時のみオン状態となる、貫通電流防止用の第5pチャネルトランジスタと、上記ビットラインと接地との間に配置され上記センスアンプ非動作時のみオン状態となる、ディスプリチャージ用の第6nチャネルトランジスタと、を備えたことを特徴とするセンスアンプ。

引用特許：

審査官引用 (6件)

特開平4-265600
半導体読み出し専用記憶装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-190356 出願人：株式会社東芝, 東芝マイクロエレクトロニクス株式会社
増幅器
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-019146 出願人：三菱電機株式会社

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