研磨パッド及びその製造方法並びに研磨パッド用クッション層

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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：特許業務法人ユニアス国際特許事務所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-092251
公開番号（公開出願番号）：特開2008-213140
出願日： 2008年03月31日
公開日（公表日）： 2008年09月18日
要約：

【課題】半導体装置用のシリコンウエハ、磁気ディスク、光学レンズ等の高度の表面平坦性を要求される材料の平坦化加工処理を安定的、かつ高い研磨速度で行う研磨パッドである。シート化、溝等の表面加工等の生産が容易であり、厚み精度に優れ、研磨速度が高く、均一な研磨速度の得られる研磨パッドの提供、個人差による品質のばらつきがなく、加工パターン変更を容易に行え、微細加工を可能とし、凹凸形成の際のバリの発生がない研磨パッド、スラリーレス対応で、砥粒を高濃度に混合可能で、かつ砥粒を分散しても砥粒凝集によるスクラッチ発生の少ない研磨パッドを提供する。【解決手段】研磨層はエネルギー線により硬化する硬化性組成物にて形成されており、かつ前記研磨層は表面がフォトリソグラフィー法により形成された凹凸を有する研磨パッドとする。砥粒が分散された研磨層樹脂が、20〜1500eq/tonのイオン性基を有する樹脂である研磨パッドとする。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

樹脂中に砥粒が分散されている研磨層を有する研磨パッドにおいて、前記樹脂が、20〜1500eq/tonの範囲でイオン性基を含有する樹脂であることを特徴とする研磨パッド。

IPC (6件)：

B24D 3/28 , B24B 37/00 , B24D 3/00 , B24D 11/00 , H01L 21/304 , C08J 5/14

FI (8件)：

B24D3/28 , B24B37/00 N , B24B37/00 P , B24D3/00 310F , B24D11/00 B , H01L21/304 622F , C08J5/14 , B24D11/00 M

Fターム (31件)：

3C058AA07 , 3C058AA09 , 3C058CB01 , 3C058CB03 , 3C058DA17 , 3C063AA10 , 3C063AB07 , 3C063BA24 , 3C063BB02 , 3C063BB03 , 3C063BB04 , 3C063BB07 , 3C063BB30 , 3C063BC03 , 3C063BC09 , 3C063BG08 , 3C063BG22 , 3C063CC23 , 3C063EE02 , 3C063EE10 , 3C063FF05 , 4F071AA45 , 4F071AA86 , 4F071AB03 , 4F071AB18 , 4F071AB26 , 4F071AE13 , 4F071AF25 , 4F071AH17 , 4F071BC12 , 4F071DA17

引用特許：

出願人引用 (9件)

特開平4-372369
研磨パッド
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-005495 出願人：東洋紡績株式会社
半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-340270 出願人：ソニー株式会社

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審査官引用 (8件)

特開平4-372369
研磨パッド
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-005495 出願人：東洋紡績株式会社
半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-340270 出願人：ソニー株式会社

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