特許
J-GLOBAL ID：200903042565271954

結合型の圧電半導体ナノ発電機

発明者：
ワング、ゾング

ワング、ゾング について

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ソング、ジンフイ

ソング、ジンフイ について

, 
ワング、シュードング

ワング、シュードング について


出願人/特許権者：
ジョージア・テック・リサーチ・コーポレーション

ジョージア・テック・リサーチ・コーポレーション について


代理人 (2件)： 矢口 太郎 ,  山口 康明
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-547684
公開番号（公開出願番号）：特表2009-521203
出願日： 2006年12月12日
公開日（公表日）： 2009年05月28日
要約：
【解決手段】 発電機(100)は、基板(110)と、第1の端部(122)と、当該第1の端部に対向し、且つ前記基板(110)に隣接して配置されている第2の端部(124)とを有する半導体圧電構造(120)と、第1の導電性接触子(210)と、第2の導電性接触子(212)とを含む。前記構造(120)は、前記第1の端部(122)付近に力が加えられると湾曲し、それによって当該構造(120)の第1の側部(126)と第2の側部(128)との間に電位差が生じる。第1の導電性接触子(210)は、前記第1の端部(122)と通電しており、前記構造(120)の前記第1の端部(122)の一部と前記第1の導電性接触子(210)との間にショットキー障壁を生じさせる物質を含む。また、前記第1の導電性接触子(210)は、前記構造(120)に対して、当該構造(120)が変形されると前記ショットキー障壁が順バイアスされる位置に配置されていることにより、当該第1の導電性接触子(130)から前記第1の端部(122)に電流が流れる。【選択図】 図2A
請求項（抜粋）：
発電機であって、 a.第1の基板と、 b.第1の端部と、当該第1の端部に対向し、且つ前記第1の基板に隣接して配置されている第2の端部とを有する半導体圧電構造であって、当該構造は柔軟性を有し、前記第1の端部付近に力が加えられると湾曲し、それによって当該半導体圧電構造の前記第1の端部の一部における第1の側部と第2の側部との間に電位差を生じるものである、前記半導体圧電構造と、 c.前記第1の端部と通電するように配置されている第1の導電性接触子であって、前記構造の前記第1の端部の一部と当該第1の導電性接触子との間にショットキー障壁を生じさせる物質から本質的に成り、さらに前記構造に対して、当該構造が変形されると前記ショットキー障壁が順バイアスされる位置に配置されていることにより、当該第1の導電性接触子から前記第1の端部に電流が流れるものである、前記第1の導電性接触子と、 d.前記第2の端部と通電するように配置されている第2の導電性接触子と を有する発電機。
IPC (3件)：
H02N 2/00 ,  H01L 41/18 ,  H01L 41/113
FI (4件)：
H02N2/00 A ,  H01L41/18 101A ,  H01L41/08 B ,  H01L41/18 101Z
Fターム (4件)：
4M104AA03 ,  4M104AA09 ,  4M104CC03 ,  4M104GG01
引用特許：
出願人引用 (4件)
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審査官引用 (4件)
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