特許
J-GLOBAL ID:200903049274712249

ナノウィスカーを組み込んだプローブ構造体、その製造方法及びナノウィスカーを形成する方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 井上 義雄
公報種別:公表公報
出願番号(国際出願番号):特願2006-518316
公開番号(公開出願番号):特表2007-527507
出願日: 2004年01月07日
公開日(公表日): 2007年09月27日
要約:
走査プローブ顕微鏡のためのプローブ構造体は、直立したチップ部材(4,26)の自由端部から突出しまたそのチップ部材と一体に形成されているナノウィスカーを含む。別の実施例では、データ・ストレージ媒体がナノウィスカーの配列(アレイ)とリード・ライト構造体とを含む。ナノウィスカーの各々は磁性材料で形成され、またその直径は、そのナノオウィスカー中に強磁性のシングル・ドメインが存在するほどのものであり、好ましくは、その直径が約25nmより大きくはなく、もっと望ましくは約10nmより大きくはない。リード・ライト構造体は、スピン偏極した電子流を前記配列の選択されたナノウィスカーに注入し、ナノウィスカー内の磁化の方向を検知し、又はナノウィスカーを所望の方向に磁化させるためのプローブ構造体を含む。プローブ構造体を、触媒粒子の融合物を使用してVLSプロセスによって形成するとき、ウィスカーは犠牲的なセグメントを伴って形成され、そのセグメントの選択的なエッチングによって触媒材料の除去を可能にする。
請求項(抜粋):
支持部材から直立したチップ部材と、そのチップ部材の自由端部上に成長し、その自由端部から突出したナノウィスカーとを含む、走査プローブ顕微鏡のためのナノテクノロジの構造体。
IPC (5件):
G01N 13/16 ,  B82B 1/00 ,  B82B 3/00 ,  H01L 29/06 ,  G12B 21/02
FI (5件):
G01N13/16 C ,  B82B1/00 ,  B82B3/00 ,  H01L29/06 601N ,  G12B1/00 601A
引用特許:
審査官引用 (7件)
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引用文献:
審査官引用 (3件)

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