半導体装置の作製方法と、それに用いられる配線部材

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：金山聡
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-166303
公開番号（公開出願番号）：特開2001-345336
出願日： 2000年06月02日
公開日（公表日）： 2001年12月14日
要約：

【要約】 (修正有)【課題】ウエハレベルCSP(Chip Scale Package)製造における歩留まり問題解決方法を提供する。【解決手段】導電性金属板基材110に治具穴115を設け、その上に溶解剥離性金属層120をメッキ形成し、更に金属層130を積層してレジスト140でパターニングして配線部130Aを形成する。配線部130Aのフリップチップ接続用端子部131にレジスト145により半田メッキ部150を形成し、金バンプが形成されているペレットの集合であるウエハ160の端子部165と半田接続した後樹脂封止する。溶解剥離金属層120をエッチングし基材110を分離し配線部130A下部に半田バンプを形成して個々のペレットに切り分ける。

請求項（抜粋）：

ウエハレベルでパッケージングした後に、切断して、個別の半導体装置を形成する、半導体装置の作製方法であって、順に、(a)基材の一面上の、酸またはアルカリに可溶な溶解剥離性層上に、フリップチップ接続用端子部と、外部接続端子部と、フリップチップ接続用端子を所定の外部接続端子部に接続させる接続配線とを、ウエハの端子に対応して形成した配線部材を形成する、配線部材形成工程と、(b)配線部材のフリップチップ接続用端子部に部分半田めっきを施した後、各ペレットの端子部には金バンプが形成されているペレットの集合であるウエハの端子部と、配線部材の部分半田めっき部とを、ウエハレベルで、半田接続する、ウエハレベル接続工程と、(c)樹脂封止工程と、(d)酸またはアルカリにより溶解剥離性層を溶解して、配線部材の基材を樹脂封止されたウエハ側から分離する、分離工程と、(e)外部接続端子部を露出するように開口を設けソルダーレジスト層を形成する、ソルダーレジスト層形成工程と、(f)外部接続端子部にプリント基板との接続用バンプを形成する、接続用バンプ形成工程と、(g)個別の半導体装置に切り出す、切断工程とを行うことを特徴とする半導体装置の作製方法。

IPC (4件)：

H01L 21/56 , H01L 21/60 311 , H01L 23/12 501 , H01L 23/28

FI (4件)：

H01L 21/56 R , H01L 21/60 311 Q , H01L 23/12 501 P , H01L 23/28 J

Fターム (13件)：

4M109AA01 , 4M109BA07 , 4M109DA02 , 4M109DB17 , 4M109EA02 , 5F044KK05 , 5F044KK13 , 5F044KK14 , 5F044LL04 , 5F044QQ03 , 5F061AA01 , 5F061BA07 , 5F061CA21

引用特許：

審査官引用 (5件)

特開平2-113591
半導体パッケ-ジ及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-188991 出願人：三星電子株式会社
特開昭63-072192

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