特許
J-GLOBAL ID:200903042671886690
磁気抵抗効果素子の製造方法、磁気抵抗効果素子、磁気抵抗効果ヘッド、磁気記録再生装置及び磁気記憶装置
発明者:
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出願人/特許権者:
代理人 (1件):
堀口 浩
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2006-032261
公開番号(公開出願番号):特開2007-214333
出願日: 2006年02月09日
公開日(公表日): 2007年08月23日
要約:
【課題】 高いMR比による高出力の垂直通電型の磁気抵抗効果素子、およびこのような磁気抵抗効果素子を用いた磁気ヘッド、磁気再生装置を提供する。【解決手段】 磁化固着層あるいは磁化自由層作成後、表面の酸化を行うことで酸化層を形成した後、イオンビーム照射、あるいはプラズマ照射を施すことで酸化層を薄膜化する。【選択図】 図1
請求項(抜粋):
磁化固着層と、非磁性中間層と、磁化自由層とが順次積層された磁気抵抗効果素子の製造方法において、前記磁化固着層または前記磁化自由層となる磁性層の少なくとも一部を形成後、酸化物、窒化物、またはフッ化物を含む機能層を形成した後、イオンビーム照射を行うことで、この機能層を一部除去することを特徴とする磁気抵抗効果素子の製造方法。
IPC (5件):
H01L 43/12
, H01L 43/08
, G11B 5/39
, H01L 21/824
, H01L 27/105
FI (4件):
H01L43/12
, H01L43/08 Z
, G11B5/39
, H01L27/10 447
Fターム (32件):
4M119AA15
, 4M119BB01
, 4M119BB03
, 4M119DD08
, 4M119JJ03
, 4M119JJ05
, 5D034BA02
, 5D034DA07
, 5F092AA02
, 5F092AC08
, 5F092AC12
, 5F092AD03
, 5F092AD12
, 5F092BB10
, 5F092BB17
, 5F092BB22
, 5F092BB31
, 5F092BB42
, 5F092BB51
, 5F092BB53
, 5F092BB55
, 5F092BC03
, 5F092BC04
, 5F092BC07
, 5F092BC13
, 5F092BC19
, 5F092BC22
, 5F092BE24
, 5F092CA13
, 5F092CA14
, 5F092CA15
, 5F092CA40
引用特許:
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