特許
J-GLOBAL ID：200903032495287941
磁気抵抗効果素子、磁気ヘッド及び磁気再生装置
発明者：
,
,
,
,
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
松山 允之
, 日向寺 雅彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-263251
公開番号（公開出願番号）：特開2004-006589
出願日： 2002年09月09日
公開日（公表日）： 2004年01月08日
要約：
【課題】垂直通電型の磁気抵抗素子において、抵抗変化量の大きい磁気抵抗効果素子、及びこれを用いた磁気ヘッド、磁気再生装置を提供することを目的とする。【解決手段】磁気抵抗効果素子の強磁性層の層中あるいはこれらと非磁性スペーサ層との界面に、酸化物あるいは窒化物からなる極薄の薄膜層を挿入することにより、この薄膜層の近傍における強磁性層のバンド構造を変調させて、電子のスピンフィルタ作用を得ることができる。 その結果として、素子抵抗を上昇させることなく、室温あるいはそれよりも昇温した温度範囲において、MR変化率の高い磁気抵抗効果素子を提供することができる。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
磁化方向が実質的に一方向に固着された第1の磁性層と、
磁化方向が外部磁界に応じて変化する第2の磁性層と、
前記第1及び第2の磁性層間に形成された非磁性中間層と、
前記第1の磁性層中、前記第2の磁性層中、前記第1の磁性層と前記非磁性中間層との界面、または前記第2の磁性層と前記非磁性中間層との界面一様に形成された平均厚さ3ナノメートル以下で、酸化物、窒化物、酸窒化物、リン化物、あるいはフッ化物を有する薄膜層とを備える磁気抵抗効果膜、及び
前記磁気抵抗効果膜の膜面に略垂直な方向のセンス電流を通電する、前記磁気抵抗効果膜に電気接続された一対の電極を備えることを特徴とする磁気抵抗効果素子。
IPC (5件)：
H01L43/08
, G11B5/39
, H01F10/16
, H01L27/105
, H01L43/10
H01L43/08 Z
, H01L43/08 M
, G11B5/39
, H01F10/16
, H01L43/10
, H01L27/10 447
5D034BA02
, 5D034BA03
, 5D034BA21
, 5D034CA08
, 5E049AA01
, 5E049AA04
, 5E049AA07
, 5E049AC05
, 5E049BA12
, 5F083FZ10
, 5F083GA09
, 5F083GA11
, 5F083JA36
, 5F083JA37
, 5F083JA38
, 5F083JA39
, 5F083JA40
, 5F083JA42
, 5F083JA43
, 5F083MA06
, 5F083MA16
, 5F083MA19
