特許
J-GLOBAL ID：200903042759559673

表面処理装置及び光学素子成形用型

発明者：
五十川 征史

五十川 征史 について


出願人/特許権者：
オリンパス株式会社

オリンパス株式会社 について


代理人 (6件)： 棚井 澄雄 ,  志賀 正武 ,  青山 正和 ,  鈴木 三義 ,  高柴 忠夫 ,  増井 裕士
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-096264
公開番号（公開出願番号）：特開2007-270230
出願日： 2006年03月31日
公開日（公表日）： 2007年10月18日
要約：
【課題】被処理体の表面を高精度かつ確実に処理することができ、処理能力を高めることができる表面処理装置及びそれによって表面処理される光学素子成形用型を提供すること。【解決手段】表面処理装置1は、真空チャンバ(真空容器)2と、筒状の絶縁物を介してトリガー電極と接続されたターゲットと、ターゲットの周囲にアーク放電を誘起させるアーク電極とを有し、アーク放電によって生じるターゲットイオンを含むプラズマ8をターゲットの先端方向に放出する蒸着源10と、光学素子成形用型母材(被処理体)11を載置する支持台12と、蒸着源10から放出されるプラズマ8の進行方向が、支持台12の近傍にて中心軸線C方向となるように偏向させる偏向部13と、蒸着源10と支持台12との間に配され、偏向部13によって偏向されたプラズマ8の輸送経路上のみに開口部20Aが形成された遮蔽板20とを備えている。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
絶縁物を介してトリガー電極と接続されたターゲットと、該ターゲットの周囲にアーク放電を誘起させるアーク電極とを有し、前記アーク放電によって生じるターゲットイオンを含むプラズマを前記ターゲットの先端方向に放出する蒸着源と、 前記ターゲットイオンが到達する被処理体を載置する表面の法線が、前記蒸着源近傍における前記プラズマの放出方向に対して傾いて配された支持台と、 前記蒸着源から放出された前記プラズマの進行方向が、前記支持台の近傍にて該支持台表面の略法線方向となるように偏向させる偏向部と、 前記蒸着源と前記支持台との間に配され、前記偏向部によって偏向されたプラズマの輸送経路上のみに開口部が形成された遮蔽板とを真空容器内に備えていることを特徴とする表面処理装置。
IPC (1件)：
C23C 14/32
FI (1件)：
C23C14/32 Z
Fターム (11件)：
4K029BA02 ,  4K029BA05 ,  4K029BA13 ,  4K029BA34 ,  4K029BB02 ,  4K029BD03 ,  4K029CA03 ,  4K029CA13 ,  4K029CA17 ,  4K029DD06 ,  4K029JA02
引用特許：
出願人引用 (4件)
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審査官引用 (4件)
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