特許
J-GLOBAL ID:200903042789171122
エッチング液、このエッチング液を用いた処理方法および処理装置、ならびに半導体装置の製造方法
発明者:
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出願人/特許権者:
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代理人 (3件):
井上 一
, 布施 行夫
, 大渕 美千栄
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2002-342471
公開番号(公開出願番号):特開2004-179310
出願日: 2002年11月26日
公開日(公表日): 2004年06月24日
要約:
【課題】処理時間の短縮を図ることができるエッチング液、このエッチング液を用いた処理方法、処理装置および半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】本発明のエッチング液は、窒化膜を選択的にエッチングするためのエッチング液であり、前記エッチング液は、フッ酸が添加された燐酸溶液からなる。 本発明の処理方法は、フッ酸が添加された燐酸溶液からなるエッチング液を用いて、窒化膜を選択的にエッチングすることを含み、前記エッチング液中のフッ酸の含有量を検出し、前記含有量に基づき、前記エッチング液のフッ酸の濃度を制御する手段を含む。【選択図】 図1
請求項(抜粋):
窒化膜を選択的にエッチングするためのエッチング液であり、前記エッチング液は、フッ酸が添加された燐酸溶液からなる、エッチング液。
IPC (3件):
H01L21/306
, H01L21/316
, H01L21/76
FI (3件):
H01L21/306 E
, H01L21/76 M
, H01L21/94 A
Fターム (11件):
4M108AB04
, 4M108AB09
, 4M108AB14
, 5F032AA13
, 5F032DA24
, 5F043AA35
, 5F043BB23
, 5F043EE02
, 5F043EE22
, 5F043EE23
, 5F043EE29
引用特許: