特許
J-GLOBAL ID:200903042789171122

エッチング液、このエッチング液を用いた処理方法および処理装置、ならびに半導体装置の製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (3件): 井上 一 ,  布施 行夫 ,  大渕 美千栄
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2002-342471
公開番号(公開出願番号):特開2004-179310
出願日: 2002年11月26日
公開日(公表日): 2004年06月24日
要約:
【課題】処理時間の短縮を図ることができるエッチング液、このエッチング液を用いた処理方法、処理装置および半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】本発明のエッチング液は、窒化膜を選択的にエッチングするためのエッチング液であり、前記エッチング液は、フッ酸が添加された燐酸溶液からなる。 本発明の処理方法は、フッ酸が添加された燐酸溶液からなるエッチング液を用いて、窒化膜を選択的にエッチングすることを含み、前記エッチング液中のフッ酸の含有量を検出し、前記含有量に基づき、前記エッチング液のフッ酸の濃度を制御する手段を含む。【選択図】 図1
請求項(抜粋):
窒化膜を選択的にエッチングするためのエッチング液であり、前記エッチング液は、フッ酸が添加された燐酸溶液からなる、エッチング液。
IPC (3件):
H01L21/306 ,  H01L21/316 ,  H01L21/76
FI (3件):
H01L21/306 E ,  H01L21/76 M ,  H01L21/94 A
Fターム (11件):
4M108AB04 ,  4M108AB09 ,  4M108AB14 ,  5F032AA13 ,  5F032DA24 ,  5F043AA35 ,  5F043BB23 ,  5F043EE02 ,  5F043EE22 ,  5F043EE23 ,  5F043EE29
引用特許:
審査官引用 (4件)
全件表示

前のページに戻る