薄膜の形成方法

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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：曾我道照 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-295693
公開番号（公開出願番号）：特開平11-131240
出願日： 1997年10月28日
公開日（公表日）： 1999年05月18日
要約：

【要約】【課題】従来、プラズマCVDによる薄膜の形成方法としては、プラズマ発振周波数を変えて成膜していたが、膜の応力や引張および圧縮の方向は、膜厚により変化することラックが発生して、歩留りを低下させることがあった。このため、成膜すべき膜厚に対して成膜条件を設定する必要があった。また、膜の応力とプラズマ発振周波数の関係は非線形であるため、完全に制御できない問題があった。【解決手段】引張と圧縮の残留応力の膜2,3を交互に積層することによって、膜の内部応力は略キャンセルされ、引張と圧縮の残留応力の膜2,3が積層された膜を繰り返し成膜することによって、残留応力が小さい膜の形成が可能となる。さらに、残留応力が小さい膜2,3...2,3を複数回積み重ねることにより、厚さが大きくなっても、残留応力は小さくでき、膜を厚く形成したときに生じる剥離等の膜の損傷を防止することができる。

請求項（抜粋）：

プラズマCVD法による薄膜の形成時に、基板上に引張と圧縮の残留応力を有する膜を交互に積層して、残留応力が小さい薄膜を形成することを特徴とする薄膜の形成方法。

IPC (3件)：

C23C 16/50 , C23C 16/40 , C23C 16/52

FI (3件)：

C23C 16/50 , C23C 16/40 , C23C 16/52

引用特許：

審査官引用 (5件)

ダイヤモンド被覆基体およびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-238431 出願人：東洋鋼鈑株式会社
特開平3-151637
絶縁膜の成膜方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-266787 出願人：ソニー株式会社

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