特許
J-GLOBAL ID:200903042831878592

メッキなしアーク溶接用ワイヤ

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 藤巻 正憲
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2002-039277
公開番号(公開出願番号):特開2003-236694
出願日: 2002年02月15日
公開日(公表日): 2003年08月26日
要約:
【要約】【課題】 電流溶接時のスパッタ発生量を低減したメッキなしアーク溶接用ワイヤを提供する。【解決手段】 ワイヤ金属部の全酸素量が60ppm以下である。また、アルゴンビームを使用したX線光電子分光法により、標準試料としてのSiO2をスパッタリングした場合にスパッタリング速度が3.6nm/分となる条件で、ワイヤ表面をスパッタリングしたときに、スパッタリング時間が6分から12分までに検出された酸素の濃度の平均値が20原子%以下である。ワイヤ表面の全Ca量が0.2乃至3ppmであり、ワイヤ表面に、MoS2、WS2及び黒鉛からなる群から選択された1種以上が、ワイヤ10kg当たりの総量で、0.01乃至2.0g存在する。また、ワイヤ表面に、動物油、植物油及び合成油からなる群から選択された1種以上が、ワイヤ10kg当たりの総量で、0.1乃至2.0g存在する。
請求項(抜粋):
ワイヤ金属部の全酸素量が60ppm以下であって、アルゴンビームを使用したX線光電子分光法により、標準試料としてのSiO2をスパッタリングした場合にスパッタリング速度が3.6nm/分となる条件で、ワイヤ表面をスパッタリングしたときに、スパッタリング時間が6分から12分までに検出された酸素の濃度の平均値が20原子%以下であることを特徴とするメッキなしアーク溶接用ワイヤ。
IPC (4件):
B23K 35/02 ,  B23K 35/36 ,  B23K 35/40 320 ,  B23K 35/40 330
FI (4件):
B23K 35/02 N ,  B23K 35/36 G ,  B23K 35/40 320 ,  B23K 35/40 330
Fターム (14件):
4E084AA01 ,  4E084BA02 ,  4E084BA03 ,  4E084BA29 ,  4E084CA24 ,  4E084CA25 ,  4E084CA29 ,  4E084DA11 ,  4E084DA33 ,  4E084GA02 ,  4E084GA03 ,  4E084HA04 ,  4E084HA06 ,  4E084HA10
引用特許:
審査官引用 (4件)
全件表示

前のページに戻る