特許
J-GLOBAL ID:200903042831878592
メッキなしアーク溶接用ワイヤ
発明者:
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出願人/特許権者:
代理人 (1件):
藤巻 正憲
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2002-039277
公開番号(公開出願番号):特開2003-236694
出願日: 2002年02月15日
公開日(公表日): 2003年08月26日
要約:
【要約】【課題】 電流溶接時のスパッタ発生量を低減したメッキなしアーク溶接用ワイヤを提供する。【解決手段】 ワイヤ金属部の全酸素量が60ppm以下である。また、アルゴンビームを使用したX線光電子分光法により、標準試料としてのSiO2をスパッタリングした場合にスパッタリング速度が3.6nm/分となる条件で、ワイヤ表面をスパッタリングしたときに、スパッタリング時間が6分から12分までに検出された酸素の濃度の平均値が20原子%以下である。ワイヤ表面の全Ca量が0.2乃至3ppmであり、ワイヤ表面に、MoS2、WS2及び黒鉛からなる群から選択された1種以上が、ワイヤ10kg当たりの総量で、0.01乃至2.0g存在する。また、ワイヤ表面に、動物油、植物油及び合成油からなる群から選択された1種以上が、ワイヤ10kg当たりの総量で、0.1乃至2.0g存在する。
請求項(抜粋):
ワイヤ金属部の全酸素量が60ppm以下であって、アルゴンビームを使用したX線光電子分光法により、標準試料としてのSiO2をスパッタリングした場合にスパッタリング速度が3.6nm/分となる条件で、ワイヤ表面をスパッタリングしたときに、スパッタリング時間が6分から12分までに検出された酸素の濃度の平均値が20原子%以下であることを特徴とするメッキなしアーク溶接用ワイヤ。
IPC (4件):
B23K 35/02
, B23K 35/36
, B23K 35/40 320
, B23K 35/40 330
FI (4件):
B23K 35/02 N
, B23K 35/36 G
, B23K 35/40 320
, B23K 35/40 330
Fターム (14件):
4E084AA01
, 4E084BA02
, 4E084BA03
, 4E084BA29
, 4E084CA24
, 4E084CA25
, 4E084CA29
, 4E084DA11
, 4E084DA33
, 4E084GA02
, 4E084GA03
, 4E084HA04
, 4E084HA06
, 4E084HA10
引用特許: