特許

J-GLOBAL ID：200903042896983350

位相シフトマスクの欠陥修正方法

発明者： 狩谷 光代 ,  中村 裕子 ,  駒野 治樹 ,  井上 壮一
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 鈴江 武彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-221233
公開番号（公開出願番号）：特開平8-087103
出願日： 1994年09月16日
公開日（公表日）： 1996年04月02日
要約：

【要約】【目的】 欠陥修正後の修正部分の転写パターンの線幅変動が、設計寸法の±10%以下であり、かつ、必要とする焦点深度が得られる位相シフトマスクの欠陥修正方法を提供する。【構成】 透光性基板と、この透光性基板表面に形成された半透過性材料からなる位相シフタ部とを有するハーフトーンマスクに存在する凹欠陥を修正する方法である。修正後のマスクを介して露光を施すことによりウエハ上に形成されるパターンの解像寸法の変動が、設計寸法の±10%未満となる範囲で、凹欠陥部分に遮光体を埋めることを特徴とする。

請求項（抜粋）：

透光性基板と、この透光性基板表面に形成された半透過性の材料からなる位相シフタ部とを有するハーフトーンマスクに存在する凹欠陥を修正するにおいて、修正後のマスクを介して露光を施すことによりウエハ上に形成されるパターンの解像寸法の変動が、設計寸法の±10%以下となる範囲で、凹欠陥部分に遮光体を埋めることを特徴とする位相シフトマスクの欠陥修正方法。

IPC (2件)：

G03F 1/08 ,  H01L 21/027

FI (3件)：

H01L 21/30 502 P ,  H01L 21/30 502 W ,  H01L 21/30 528

引用特許：

審査官引用 (4件)

• ハーフトーン方式位相シフトマスク及びその修正方法並びに半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-163169   出願人：ソニー株式会社
• ホトマスクの製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-303557   出願人：株式会社日立製作所
• 集束イオンビームによるパターン修正方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-344588   出願人：富士通株式会社
• 特開平4-288542