特許
J-GLOBAL ID：200903042901640432

窒化物半導体の気相成長方法

発明者：
琵琶 剛志

琵琶 剛志 について

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奥山 浩之

奥山 浩之 について

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土居 正人

土居 正人 について

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大畑 豊治

大畑 豊治 について


出願人/特許権者：
ソニー株式会社

ソニー株式会社 について


代理人 (1件)： 佐藤 勝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-232821
公開番号（公開出願番号）：特開2002-050580
出願日： 2000年08月01日
公開日（公表日）： 2002年02月15日
要約：
【要約】【課題】 窒化ガリウム系化合物半導体などの気相成長技術において、均一で再現性の高い結晶層を得ることのできる窒化物半導体の気相成長方法を提供する。【解決手段】 基板上に結晶成長を阻害する保護膜を、該保護膜の一部を開口した窓領域内で第1窒化物半導体層が臨むように形成し、その第1窒化物半導体層からの第2窒化物半導体層の選択成長を所要の成長開始温度で開始し、続いて前記成長開始温度よりも高い温度に昇温して結晶成長を継続する。昇温前の低い温度では気相成長によって均一な低温成長層が得られ、続いて高温の成長層を形成した際にはその均一さを反映して均一で再現性の高い結晶層が形成される。
請求項（抜粋）：
基板上に結晶成長を阻害する保護膜を、該保護膜の一部を開口した窓領域内で第1窒化物半導体層が臨むように形成し、前記第1窒化物半導体層からの第2窒化物半導体層の選択成長を所要の成長開始温度で開始し、続いて前記成長開始温度よりも高い温度に昇温して結晶成長を継続することを特徴とする窒化物半導体の気相成長方法。
IPC (4件)：
H01L 21/205 ,  C30B 29/38 ,  H01L 33/00 ,  H01S 5/323
FI (4件)：
H01L 21/205 ,  C30B 29/38 D ,  H01L 33/00 C ,  H01S 5/323
Fターム (37件)：
4G077AA03 ,  4G077BE15 ,  4G077DB08 ,  4G077EE07 ,  4G077EF01 ,  5F041AA40 ,  5F041CA40 ,  5F041CA46 ,  5F041CA65 ,  5F041CA77 ,  5F045AA04 ,  5F045AB09 ,  5F045AB14 ,  5F045AB17 ,  5F045AC08 ,  5F045AC09 ,  5F045AC12 ,  5F045AD08 ,  5F045AD09 ,  5F045AD10 ,  5F045AD11 ,  5F045AD12 ,  5F045AD13 ,  5F045AD14 ,  5F045AF09 ,  5F045AF13 ,  5F045BB02 ,  5F045BB12 ,  5F045CA12 ,  5F045DA53 ,  5F045DB02 ,  5F045DB04 ,  5F045DB06 ,  5F073CA17 ,  5F073CB05 ,  5F073DA05 ,  5F073EA29
引用特許：
出願人引用 (3件) 審査官引用 (3件)

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