一括消去型不揮発性記憶装置

発明者： , , , ,
出願人/特許権者： ,
代理人 (1件)：徳若光政
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-341931
公開番号（公開出願番号）：特開平7-169288
出願日： 1993年12月13日
公開日（公表日）： 1995年07月04日
要約：

【要約】 (修正有)【目的】動作の高速化を図りつつ、使い勝手を良くした一括消去型不揮発性記憶装置を提供する。【構成】コントロールゲートと基板との間での相対的な電位関係によりトンネル絶縁膜を介して基板側からフローティングゲートに電荷を注入して消去動作を行い、上記コントロールゲートとドレインとの相対的な電位関係により上記トンネル絶縁膜を介してフローティングゲートからドレイン側に電荷を放出させて書込み動作を行う記憶トランジスタをワード線とデータ線との交点にマトリックス配置してメモリアレイを構成し、このメモリアレイのデータ線に対応してラッチ回路を設け、上記コントロールゲートが結合されるワード線の単位での消去動作、及び上記ラッチ回路を介してワード線単位での書込み動作と読み出し動作を行うようにする。

請求項（抜粋）：

コントロールゲートと基板との間での相対的な電位関係によりトンネル絶縁膜を介して基板側からフローティングゲートに電荷を注入して消去動作を行い、上記コントロールゲートとドレインとの相対的な電位関係により上記トンネル絶縁膜を介してフローティングゲートからドレイン側に電荷を放出させて書込み動作を行う記憶トランジスタがワード線とデータ線との交点にマトリックス配置されてなるメモリアレイと、上記メモリアレイのデータ線に対応して設けられたラッチ回路とを備え、上記コントロールゲートが結合されるワード線の単位での消去動作、及び上記ラッチ回路を介してワード線単位での書込み動作と読み出し動作とが可能にされてなる一括消去型不揮発性記憶装置。

IPC (5件)：

G11C 16/06 , H01L 27/115 , H01L 21/8247 , H01L 29/788 , H01L 29/792

FI (4件)：

G11C 17/00 530 D , G11C 17/00 510 F , H01L 27/10 434 , H01L 29/78 371

引用特許：

審査官引用 (11件)

特開平2-260455
特開平2-023595
不揮発性半導体記憶装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-181267 出願人：株式会社東芝

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